北方华创PVD在长江存储等产线中的中标占比已达到约20%，这标志着国产PVD在溅射这一细分赛道取得了关键突破，但薄膜沉积设备整体的技术壁垒依然很高——主要体现在CVD、ALD等更复杂环节的国产化率仍处于较低水平，以及先进制程对薄膜均匀性、颗粒度和原子级精度提出了更高要求。
PVD突破：国产化的“尖兵”
北方华创是国产PVD设备的主力厂商，其优势集中在溅射PVD领域。根据长江存储的中标数据，北方华创在PVD设备中的占比可达到约20%。公司已推出多款PVD产品，覆盖90nm至14nm的多个制程节点，广泛应用于集成电路、先进封装和功率半导体等领域，打破了应用材料在该领域的垄断。PVD技术路径主要包括磁控溅射和离子束溅射，北方华创的产品已实现产业化应用。
国产化率差异：PVD领先，CVD/ALD仍待追赶
尽管PVD已有突破，但薄膜沉积设备整体的国产化率仍然较低。以长江存储为例，其薄膜设备整体国产化率（按机台数量计算）约为10%左右。其中，北方华创在PVD领域占比突出，而CVD类设备的国产供应商沈阳拓荆，整体占比约为2-3%。在技术壁垒更高的ALD领域，国内厂商虽有布局，但与国际巨头在先进制程的覆盖上仍有差距：拓荆科技PEALD产品可覆盖14nm，北方华创ALD产品则主要覆盖至28nm。
先进制程壁垒：均匀性与原子级控制
先进制程对薄膜沉积设备提出了更高的要求。例如，在28nm以下的FinFET工艺中，ALD沉积的Spacer材料宽度直接决定了Fin的宽度，对原子层级的厚度控制精度要求极高。此外，在HKMG（高K金属栅极）、金属栅极、TSV（硅通孔）填孔等关键工艺中，薄膜的均匀性、颗粒度控制以及高纯金属靶材的制备，都是核心的技术壁垒。国际龙头如应用材料在PVD领域占据约85%的份额，东京电子在ALD领域占据约45%的份额，这些差距正是国产化需要持续攻克的方向。
常见问题
北方华创的PVD设备主要应用于哪些制程？
北方华创的PVD产品覆盖了90nm至14nm的多个制程节点，可用于集成电路后道金属互联、金属硬掩膜、先进封装、MEMS和功率半导体等领域。
除了北方华创，还有哪些国产薄膜沉积设备厂商？
沈阳拓荆科技是另一家重要的国产薄膜沉积设备厂商，其优势在于PECVD和ALD领域，产品覆盖180nm至14nm的逻辑芯片及3D NAND存储芯片。
薄膜沉积设备国产化的主要难点在哪里？
主要难点在于CVD、ALD等更复杂环节的技术壁垒更高，以及先进制程对薄膜的均匀性、颗粒度、原子级精度控制提出了极高要求。国际巨头在多个细分领域仍占据主导地位。