聚氨酯抛光垫孔洞结构影响抛光效果，哪些半导体材料下游应用最依赖CMP工艺？

"聚氨酯抛光垫（硬垫）是应用最广泛的类型，其抗撕裂强度高、耐磨性强、抛光效率高，典型产品如IC1000，常用于铜、钨、STI等材料的抛光。"

"目前，国内只有鼎龙股份实现了抛光垫产品的量产。其硬垫产品已覆盖28nm及以上全部制程，并计划在软垫产线投产后，达成全系列和全制程的抛光垫生产能力。"

"抛光液是CMP材料中价值量最高的部分，占比达到49%，而抛光垫占比为33%，两者是CMP的两大核心材料。"

CMP抛光垫的聚氨酯孔洞结构直接影响抛光效果，而先进逻辑芯片（如7nm及以下节点）和3D NAND存储芯片是最依赖高精度CMP工艺的下游应用。

CMP（化学机械抛光）是半导体制造中仅次于光刻、刻蚀和薄膜沉积的第四大工艺，用于对晶圆进行纳米级全局平坦化。在该过程中，抛光垫直接与晶圆接触，通过摩擦去除材料。聚氨酯抛光垫的孔洞结构规整程度，是衡量其质量的核心指标之一，决定了最终的抛光效率。

聚氨酯孔洞结构如何影响抛光

聚氨酯抛光垫是一种微孔结构材料。孔洞的规整性直接决定了其容纳抛光液和均匀去除材料的能力。如果孔洞结构不达标，在先进制程中会导致晶圆表面平坦度不足，进而造成严重的良率损失。目前，生产具备微细而均匀孔洞结构的抛光垫的技术专利，主要掌握在海外巨头手中，是国内厂商突破的关键。

不同制程节点对CMP抛光垫的要求差异显著，先进制程对孔洞规整性要求更高。

先进逻辑芯片（7nm、5nm及以下）：需要多次使用CMP来实现铜互连、浅槽隔离（STI）等结构。这类制程对抛光垫的均匀性和缺陷率容忍度极低，通常需要使用软垫与硬垫的组合，其中软垫价值量占比在全球范围内约为1:8，国内因先进制程应用较少，软硬比例约为1:10。
存储芯片（3D NAND）：在制造过程中需大量使用钨抛光液和铜抛光液进行平坦化。国产抛光垫在存储芯片领域表现突出，部分产品效率较高，可有效降低用户成本。
成熟制程：28nm及以上制程主要使用硬垫，对孔洞规整性的要求相对宽松，国产厂商已实现全覆盖。

聚氨酯抛光垫（硬垫）是应用最广泛的类型，其抗撕裂强度高、耐磨性强、抛光效率高，典型产品如IC1000，常用于铜、钨、STI等材料的抛光。

目前，国内只有鼎龙股份实现了抛光垫产品的量产。其硬垫产品已覆盖28nm及以上全部制程，并计划在软垫产线投产后，达成全系列和全制程的抛光垫生产能力。

抛光液是CMP材料中价值量最高的部分，占比达到49%，而抛光垫占比为33%，两者是CMP的两大核心材料。