功率器件的价格传导与产业链议价能力，核心取决于晶圆尺寸带来的产出效率差异，以及各环节的技术门槛。IGBT已可做到12寸线，而碳化硅主流仍是6寸线，Cree的8寸线还在扩产、需要大量时间。晶片越大，单片产出芯片越多：以5×5mm的Die尺寸为例，8寸wafer无缺陷最大产出为2461pcs，12寸wafer产出数为2461pcs。衬底供给不足将持续制约碳化硅降本；同时国内厂商在碳化硅二极管领域竞争激烈、呈红海，而Mos管仍是蚕食国外品牌的蓝海，两类产品的议价能力由此分化。

晶圆尺寸如何决定降本节奏

晶片（Wafer）越大，单片产出的芯片（Die）也就越多，这是功率器件降本最直接的路径。IGBT已可做到12寸线，碳化硅目前的主流仍然是6寸线，Cree的8寸线还在扩产，需要大量的时间。如果以Cree为代表的碳化硅晶圆厂迟迟无法扩到8寸，碳化硅晶圆仍将面临供货不足的窘境，在降本这条路上也会相对滞后。

价格传导与议价能力的分化

碳化硅模块出货较多的比亚迪，实际是采购意法（ST）或博世（Bosch）的晶片再自行封装；斯达同样采购Cree的晶片然后封装。封装并非低门槛环节——为发挥碳化硅性能，需要重新设计封装。

在封装成产成品的阶段，国内厂商大部分只能做成二极管，对工艺要求更高的Mos管则无能为力，原因是技术水平还没到。因此虽然同属碳化硅市场，做二极管的竞争激烈，可谓红海；Mos管则是蓝海——这个市场原来完全由外国品牌占据，是名副其实的增量市场。谁能率先做出碳化硅Mos管，谁就能率先抢占市场，议价能力自然向这一侧倾斜。

供应链格局与演进方向

特斯拉为最大化性能采用自研封装TPAK，可接入碳化硅MOSFET裸芯片，也可连入IGBT芯片，甚至等车规大功率氮化镓技术成熟后装入氮化镓芯片，并按不同功率等级选择不同数量的TPAK并联。其官宣的碳化硅合作伙伴是意法半导体（ST），而意法的大部分衬底来自Wolfspeed（Cree）。

技术路线上，碳化硅初期与IGBT一样采用平面结构，随技术导入逐步从平面转向沟槽，参照IGBT历史，沟槽型是终极目标。但沟槽型的缺点在于可靠性——它会让氧化层变得脆弱，能否达到车规要求还得看工艺进步。整体看，碳化硅与IGBT在高功率市场并非替代关系，在当前价格区间下两者相对互补。

常见问题

碳化硅降本最大的瓶颈是什么？

首要瓶颈是晶片做大。碳化硅主流仍是6寸线，Cree的8寸线还在扩产、需要大量时间，若迟迟无法扩到8寸，晶圆将持续面临供货不足，降本也会相对滞后。

为什么国内厂商在碳化硅二极管和Mos管上的议价能力不同？

二极管工艺门槛相对低，国内参与者众多，竞争激烈、呈红海；Mos管工艺要求更高，国内厂商大部分暂时无能为力，而该市场原本完全由外国品牌占据，属于增量蓝海，因此两类产品的议价能力出现明显分化。

碳化硅会取代IGBT吗？

在高功率市场，两者并非替代关系。在当前的价格区间下，碳化硅与IGBT是相对互补的存在，各自适用于不同的功率与成本场景。