在碳化硅功率模块的外采晶片再封装环节，海外厂商主导晶片供应、国内厂商承担封装分工的格局较为清晰。国内碳化硅模块出货较多的比亚迪，采用意法半导体（ST）或博世（Bosch）的晶片自行封装；斯达则外采克里（Cree）的晶片进行封装。同时，国内封装产能多集中在二极管，工艺要求更高的 MOS 管仍主要由海外品牌覆盖，形成“海外供晶片、国内做封装”的分工特征。

海外晶片供应：多供格局与结构路线

特斯拉是碳化硅上车应用的标杆，其做法是自己完成模块封装设计（TPAK），对裸芯片进行外采，官宣的碳化硅合作伙伴为意法半导体（ST），而意法的大部分衬底来自 Wolfspeed（Cree）。特斯拉也将封装设计开放给其他海外大厂，形成多供局面。

从器件结构看，克里（Cree）、意法（STM）、安森美（ON）的产品主要为平面型；罗姆（Rohm）、英飞凌（IFX）为沟槽型。沟槽型被视作演进方向，但其氧化层可靠性挑战较大，能否满足车规要求仍取决于工艺进步。

国内封装分工：二极管为主，MOS 管待突破

国内企业当前重心仍在 IGBT 领域，碳化硅难度更高。封装并非简单环节——为发挥碳化硅性能需重新设计封装。但封装成产成品阶段，国内厂商大部分只能做二极管；工艺要求更高的 MOS 管尚难覆盖。由此，二极管环节竞争激烈、趋于红海，MOS 管则因原有市场以海外品牌为主，属于增量空间。

产能与降本约束

碳化硅降本还受晶圆尺寸制约：IGBT 已可做到 12 寸线，碳化硅主流仍是 6 寸线，克里（Cree）的 8 寸线仍在扩产。晶片越大，单片产出芯片越多；若 8 寸扩产迟缓，晶圆供货不足与降本滞后可能延续。

常见问题

国内厂商在碳化硅模块上主要做哪一段？

主要集中在封装环节，晶片多外采。例如比亚迪采购意法（ST）或博世（Bosch）晶片后自行封装，斯达采购克里（Cree）晶片后封装。

为什么国内封装多集中在二极管？

二极管工艺门槛相对较低，是国内厂商的主要战场，竞争激烈；MOS 管工艺要求更高，国内厂商目前尚难覆盖，该市场原先以海外品牌为主。

碳化硅降本的关键在哪里？

一是晶圆尺寸从主流 6 寸向 8 寸扩产，二是封装环节的重新设计与工艺能力。克里（Cree）8 寸线扩产进度，直接影响晶圆供给与降本节奏。