**比亚迪、斯达等国内功率器件厂商的碳化硅模块,确实存在“晶片靠外采、封装偏二极管”的双重短板。**公开资料显示,比亚迪的碳化硅模块采购自意法半导体(ST)或博世(Bosch)的晶片后自行封装,斯达同样采购克里(Cree)晶片再封装。上游晶片供给集中于海外,意味着供应中断与议价波动风险难以完全自主消化;而国内封装环节大部分厂商目前只能做二极管,对工艺要求更高的MOS管仍无能为力。两重因素叠加,构成碳化硅供应链与技术层面的不确定性。
上游晶片外采:供给集中与议价压力
碳化硅模块的性能上限,首先取决于晶片这一上游环节。当晶片来源集中于少数海外供应商时,采购方在产能分配、交期安排和价格谈判上的主动权相对有限。一旦上游扩产节奏或供应格局出现变化,下游封装与出货节奏就可能被动调整。
资料还提到一个关键变量:晶片尺寸。当前IGBT已可做到12寸线,而碳化硅主流仍是6寸线,以克里为代表的8寸线仍在扩产,需要大量时间。晶片越大、单片产出芯片越多,若8寸线迟迟无法放量,碳化硅晶圆仍将面临供货不足的窘境,降本进程也会相对滞后。供给端的这种结构性约束,会进一步放大外采模式下的不确定性。
封装短板:二极管红海,MOS管蓝海
封装并非简单工序。为发挥碳化硅性能,需要重新设计封装,这也是特斯拉自研TPAK封装、并对裸芯片进行外采的原因——其官宣的碳化硅合作伙伴为意法半导体,而意法大部分衬底来自Wolfspeed(原Cree)。
国内厂商的差距集中在成品阶段:大部分只能做成二极管,对工艺要求更高的MOS管无能为力,根源在于技术水平尚未到位。由此形成明显分化——二极管赛道竞争激烈,已是红海;MOS管则因原先完全由海外品牌占据,属于名副其实的增量市场。谁能率先做出碳化硅MOS管,谁就有机会率先抢占这一市场。
| 环节 | 国内现状 | 直接影响 |
|---|---|---|
| 晶片 | 多外采意法、博世、克里 | 供给与议价受制于海外 |
| 二极管封装 | 主要战场,竞争激烈 | 同质化,利润空间受限 |
| MOS管封装 | 大部分厂商尚无力覆盖 | 产品覆盖受限,错失增量市场 |
常见问题
碳化硅模块外采晶片,最大的风险是什么?
核心是供给与议价两方面的不确定性。晶片来源集中于海外少数厂商,采购方在产能、交期和价格上的主动权有限。加之碳化硅主流仍为6寸线、8寸线扩产尚需时间,晶圆供货不足的窘境可能延续,并拖慢降本节奏。
为什么国内厂商大多只能做碳化硅二极管,做不了MOS管?
原因在于工艺难度。资料明确指出,封装成成品阶段,国内厂商大部分只能做二极管,对工艺要求更高的MOS管无能为力,技术水平还没到。这也意味着MOS管市场仍是蓝海,是蚕食海外品牌份额的增量空间。
MOS管封装短板会怎样影响产品覆盖?
它直接限制了国内厂商能提供的碳化硅成品类型。二极管领域竞争已成红海,而更高价值的MOS管环节缺位,使产品线难以覆盖对MOS管有需求的应用。能否突破这一环节,是抢占增量市场的关键分水岭。