在功率器件碳化硅模块的封装环节，外采晶片再封装的模式对应着一个明确的增量市场。为发挥碳化硅的性能，必须重新设计封装；而在封装成产成品的阶段，国内厂商大部分只能做二极管，工艺要求更高的 MOS 管封装存在明显供给缺口。由于 MOS 管封装市场此前主要由国外品牌占据，这一缺口对应的是增量空间而非存量争夺。

为什么必须重新设计封装

碳化硅模块出货较多的厂商，采用的正是外采晶片、自行封装的路径：比亚迪采购意法（ST）或博世（Bosch）的晶片后自己封装，斯达则采购克里（Cree）的晶片再封装。特斯拉同样自行设计封装，其 TPAK（Tesla Pack）模块既可接入碳化硅 MOSFET 裸芯片，也可接入 IGBT 芯片，并按不同功率等级选择不同数量的模块并联。

这条路径的关键在于，封装不是简单的后道组装。为了发挥碳化硅的性能，需要重新设计封装，封装能力直接决定器件性能能否落地。

供给缺口在哪里

封装成产成品的阶段，国内厂商大部分只能做成二极管，对工艺要求更高的 MOS 管则无能为力，原因在于技术水平尚未达到。由此形成两个特征迥异的市场：

产品市场特征国内厂商位置
二极管（FRD）红海，竞争激烈主要战场
MOS 管蓝海蚕食国外品牌

二极管已是红海，MOS 管封装才是增量所在。这一市场原来完全由国外品牌占据，国内厂商切入的本质是替代与新增，而非在存量中互相挤压。

增长空间受什么约束

除工艺能力外，晶片尺寸也影响碳化硅的供给与降本节奏。IGBT 已可做到 12 寸线，碳化硅目前主流仍是 6 寸线，克里的 8 寸线仍在扩产，需要大量时间。晶片越大，单片产出的芯片越多；若 8 寸扩产迟迟无法完成，碳化硅晶圆仍将面临供货不足，降本进程也会相对滞后。这意味着封装环节的增长空间，既取决于 MOS 管工艺的突破速度，也受上游晶片供给节奏的制约。

常见问题

外采晶片再封装，增长空间来自哪里？

来自 MOS 管封装这一增量市场。国内厂商在二极管封装上竞争激烈，而工艺要求更高的 MOS 管封装此前完全由国外品牌占据，谁能率先做出来，谁就能率先进入这一市场。

为什么国内厂商大多只能做二极管？

碳化硅 MOS 管的封装工艺要求更高，国内厂商的技术水平还没到。因此在封装成产成品的阶段，大部分只能完成二极管，MOS 管环节形成明显缺口。

碳化硅封装环节还受哪些因素影响？

上游晶片尺寸是关键约束之一。碳化硅主流仍是 6 寸线，8 寸线扩产需要大量时间，晶圆供货不足与降本滞后都会传导至封装环节的放量节奏。