在功率器件领域，碳化硅模块“外采晶片＋自行封装”的分工格局，是上游晶片供给集中于海外厂商、中游封装环节国内厂商能力分层共同作用的结果。碳化硅模块出货较多的比亚迪，实际是采购意法半导体（ST）或博世（Bosch）的晶片后自行封装；斯达同样采购克里（Cree）的晶片再封装。与此同时，国内封装环节大部分只能做成二极管，对工艺要求更高的 MOS 管则难以覆盖，上下游分工由此趋于固化。
分工格局是如何形成的
上游晶片环节高度集中于海外。 从供应链看，特斯拉官宣的碳化硅合作伙伴是意法半导体（ST），而意法的大部分衬底来自 Wolfspeed（Cree）。国内厂商要做出碳化硅模块，晶片这一环目前主要依赖外采。
中游封装并非简单环节。 为了发挥碳化硅的性能，需要重新设计封装，这本身构成一道门槛。特斯拉为最大化性能采用自研封装 TPAK（Tesla Pack），可接入碳化硅 MOSFET 裸芯片，也可连入 IGBT 芯片；正因其掌握封装技术，特斯拉一般对裸芯片进行外采，并把封装设计开放给其他海外大厂，形成多供局面。
国内厂商的能力集中在二极管。 封装成产成品的阶段，国内厂商大部分只能做成二极管；对工艺要求更高的 MOS 管则无能为力，原因在于技术水平尚未达到。因此同属碳化硅市场，二极管竞争激烈，MOS 管则因原先完全由外国品牌占据，属于增量市场。
工艺与产能的两道门槛
在器件结构上，碳化硅最初与 IGBT 一样采用平面结构，随技术导入逐步从平面转向沟槽，参照 IGBT 的历史，沟槽型是最终目标。目前克里（Cree）、意法（STM）、安森美（ON）的产品主要是平面型，罗姆（Rohm）与英飞凌（IFX）为沟槽型。沟槽型的缺点在于可靠性——会使氧化层变得脆弱，能否达到车规要求仍要看工艺进步。
产能与降本同样受限：IGBT 已可做到 12 寸线，而碳化硅目前主流仍是 6 寸线，克里（Cree）的 8 寸线仍在扩产，需要大量时间。晶片越大，单片产出的芯片越多，若 8 寸扩产迟迟无法推进，晶片供货不足的局面与降本节奏都会受到影响。
常见问题
为什么国内厂商多选择外采晶片而不是自产？
碳化硅晶片环节目前主要集中于海外厂商，国内厂商在模块出货上更多依托外采晶片再自行封装的方式切入，封装设计本身也需要重新开发。
国内封装环节为什么集中在二极管？
二极管与 MOS 管的工艺要求不同，MOS 管难度更高。国内厂商大部分只能做到二极管，MOS 管受工艺限制难以覆盖，这也使 MOS 管成为尚待突破的增量市场。
碳化硅会取代 IGBT 吗？
在高功率市场上，两者并非替代关系。在当前的价格区间下，碳化硅与 IGBT 更接近相对互补的存在。