全球ALD设备市场呈现东京电子、应用材料、泛林半导体三家合计占据约100%份额的高度集中格局，其中东京电子以45%的份额居首，应用材料和泛林半导体分别占29%和26%。在SADP（自对准双重成像）等先进制程所需的ALD硬掩膜版沉积环节，技术主导权目前掌握在日美设备巨头手中，国产设备尚处于早期突破阶段。
ALD设备：先进制程的“兵家必争之地”
ALD（原子层沉积）通过将反应物分步交替引入、实现原子层级别的薄膜厚度控制，是28nm以下先进制程中FinFET结构制造的核心设备。在SADP工艺中，ALD沉积的氧化硅硬掩膜版厚度直接决定Fin的宽度，是制约逻辑芯片先进程度的关键环节。虽然ALD在薄膜沉积设备市场中占比仅11%，但因难以替代的技术价值被视为“兵家必争之地”。
从细分赛道的垄断程度看，ALD格局呈现出与PVD、CVD不同的特征：
| 细分领域 | 应用材料 | 泛林半导体 | 东京电子 |
|---|---|---|---|
| ALD | 29% | 26% | 45% |
| PVD | 85% | — | 15% |
| CVD | 28% | 25% | 11% |
对比可见，PVD领域应用材料一家独大（85%），而ALD市场由三家巨头相对均衡地把持，竞争更为分散，也给后进入者留下了差异化的切入点。
国产设备在全球格局中的位次
中国大陆对CVD和PVD设备的需求合计约200亿元规模，但国产化率整体仍在10%左右。从主流存储厂商的中标数据看，北方华创在溅射PVD领域占比可达20%左右，其产品覆盖90-14nm制程；沈阳拓荆（拓荆科技）在CVD类设备中占比约2-3%，是国内唯一实现PECVD产业化的厂商。
在ALD领域，两家国产厂商均有布局但进度不一：拓荆科技的PEALD设备可覆盖28-14nm的SADP工艺，处于产业化应用阶段；北方华创的ALD产品技术节点覆盖至28nm。总体而言，国产ALD设备在先进制程硬掩膜版沉积环节仍处于追赶期，与日美巨头存在代际差距。
常见问题
SADP工艺中ALD的作用是什么？
在SADP工艺中，ALD沉积的氧化硅层作为硬掩膜版，其厚度直接决定最终Fin的宽度。通过控制ALD沉积厚度，可以实现远超光刻极限的精细结构，因此ALD是先进制程中不可替代的核心工序。
国产ALD设备目前处于什么水平？
拓荆科技的PEALD设备已覆盖28-14nm制程的SADP工艺并实现产业化应用，北方华创的ALD产品覆盖至28nm节点。两家均处于国产替代的早期放量阶段，在先进制程领域仍有较大提升空间。
ALD市场为何比PVD更难形成一家独大？
PVD领域应用材料凭借85%的份额形成绝对优势，而ALD市场由东京电子、应用材料、泛林三家分占45%、29%、26%，格局相对均衡。这与ALD工艺需针对不同材料、不同制程进行定制化开发的技术特性有关，也为多厂商共存提供了空间。