3D NAND 从 2D 转向 3D 后，三大核心工艺在芯片产线资本开支中的占比发生了明显再分配：薄膜沉积从 18% 升至 26%，刻蚀从 20% 升至 50%，光刻则从 38% 降至 18%（来源：IC Knowledge，中微公司2020年度业绩说明会，东京电子，华创证券）。这组数字说明，3D 化并非让所有设备同步受益，而是把投资重心从光刻转移到了以薄膜沉积和刻蚀为代表的"沉积—刻蚀"环节。

为什么堆叠层数直接拉动薄膜沉积

3D NAND 采用垂直堆叠结构，堆叠层数与薄膜工艺直接挂钩。层数越多，需要沉积的介质薄膜层数越多，对应的薄膜沉积工序量和设备用量随之增长。这一逻辑与制程进步带来的工序量增加方向一致——资料显示，90nm CMOS 工艺的薄膜沉积工序约为 40 道，3nm FinFET 工艺产线则增至 100 道（来源：公司招股说明书，华创证券）。工序量是设备需求量的直接来源，因此薄膜沉积在 3D 架构下的资本开支占比抬升，本质上是"堆叠"这一结构变化对沉积工序的刚性拉动。

三大核心工艺的占比再分配

核心工艺2D 产线占比3D 产线占比
薄膜沉积18%26%
刻蚀20%50%
光刻38%18%

数据来源：IC Knowledge，中微公司2020年度业绩说明会，东京电子，华创证券

可以看到，光刻占比大幅让渡，刻蚀成为占比最高的环节，薄膜沉积同步上行。薄膜沉积与刻蚀的相关性非常强，二者共同构成 3D 结构下设备投资的主要去向。

设备厂商的收入集中在哪些细分品类

薄膜沉积设备市场本身较为分散，占比最大的 PECVD 份额为 33%，其后依次为溅射 PVD 19%、管式 CVD 12%、ALD 11% 等（来源：Gartner，转引自拓荆科技招股书，华创证券）。这意味着厂商的竞争力更多取决于对薄膜材料覆盖的广度与深度，而非单一品类。

其中 ALD 虽占比为 11%，但被资料称为"兵家必争之地"——它能较好满足先进制程和 3D 结构的需求，可用于制造 CMOS 器件、存储芯片和 TSV 封装等。在 3D NAND 产线对介质薄膜的需求下，PECVD 与 ALD 是收入来源中较具代表性的细分品类。

常见问题

3D NAND 为什么会让薄膜沉积占比上升？

因为堆叠层数与薄膜工艺直接挂钩，层数增加意味着需要沉积的薄膜层数增加，薄膜沉积工序量和设备用量相应增长，从而推高其在产线资本开支中的占比。

薄膜沉积和刻蚀在 3D 产线中是此消彼长的关系吗？

不是。两者相关性非常强，在 3D NAND 产线中占比同时上升，薄膜沉积由 18% 升至 26%，刻蚀由 20% 升至 50%，真正让渡占比的是光刻。

薄膜沉积设备中哪些细分品类更值得关注？

占比最大的是 PECVD（33%），需求增长较快、被资料称为"兵家必争之地"的是 ALD（11%）。具体到 3D NAND 产线的设备选型与验证进度，建议以厂商公开披露及产线实际招标数据为准。