中微公司CCP刻蚀设备从65nm到5nm再到高深宽比突破，经历了三代产品的清晰迭代：2007年首台Primo D-RIE覆盖65-16nm制程，2011年Primo AD-RIE推进至45-7nm，2017年Primo AD-RIE-e（增强型）进入7nm以下逻辑芯片制造；与此同时，面向3D NAND存储的Primo SSC HD-RIE于2016年推出，实现了64层及以上3D闪存所需的高深宽比孔、槽刻蚀。高深宽比刻蚀的技术突破，是中微公司补齐CCP产品版图、跻身全球刻蚀设备第一梯队的关键拐点。
三代CCP产品：从65nm到5nm的逻辑芯片之路
中微公司自2004年成立起就着力于开发CCP（电容性等离子体）刻蚀设备，先后发布三代产品，制程工艺从65nm一路提升至目前最先进的5nm，覆盖了约七成的介质刻蚀应用。
| 产品型号 | 首台推出时间 | 应用领域 | 关键特点 |
|---|---|---|---|
| Primo D-RIE | 2007年 | 65-16纳米集成电路制造 | 双反应台多反应腔主机系统，可同时加工两片晶圆 |
| Primo AD-RIE | 2011年 | 45-7纳米逻辑集成电路制造 | 可切换低频射频发生器、上电极气流分布及下电极温度调控优化 |
| Primo AD-RIE-e（增强型） | 2017年 | 7纳米以下逻辑集成电路制造 | 改进静电吸盘，实现四分区单独温控及动态调温 |
中微独创的双反应台技术，可在一个真空腔中同时刻蚀两块晶圆，在保证结果均匀一致的同时，还能为客户节省约35%的原材料。凭借这一技术路线，中微成为唯一进入台积电供应链的国产刻蚀设备厂商，其产品已进入台积电7nm和5nm产线。
高深宽比突破：3D NAND时代的胜负手
如果说逻辑芯片考验的是制程微缩能力，那么3D闪存考验的则是高深宽比刻蚀——在数十层甚至上百层堆叠结构中刻出深而窄的孔槽。随着芯片从2D向3D结构发展、堆叠层数不断增加，刻蚀设备在3D NAND制造中的价值占比从2D时代的15%跃升至50%。
中微公司针对存储芯片市场专门推出了两条产品线：2013年的Primo SSC AD-RIE支持六个完全独立可控的单反应台腔体，具备高射频功率、高副产物排出速率，已在主流客户16纳米芯片生产线上稳定量产；2016年的Primo SSC HD-RIE则在气流分布和下电极设计上进一步优化，实现超高脉冲射频功率，满足64层及以上3D闪存的高深宽比刻蚀要求。
在CCP领域，中微公司此前的短板主要集中在两方面：用于逻辑芯片的大马士革刻蚀，以及用于3D存储芯片的高深宽比刻蚀。据公开信息，公司已完成了高深宽比刻蚀的技术突破，产品开发顺利，大马士革刻蚀产品的开发工作也接近完成。这两块短板补齐后，中微公司的CCP版图将趋于完整。
常见问题
中微公司的CCP设备与ICP设备有何区别？
CCP（电容性等离子体刻蚀）和ICP（电感性等离子体刻蚀）是两类不同的等离子体刻蚀设备。CCP主要用于介质材料（氧化硅、氮化硅）的刻蚀，适用于逻辑芯片前段工艺的栅侧墙、硬掩膜刻蚀以及NAND中的深斜孔槽；ICP则主要用于硅材料刻蚀，对精确度要求更高。中微公司的传统优势在CCP领域，近年来也已切入ICP赛道。
中微公司在全球刻蚀设备市场处于什么位置？
在全球干法刻蚀设备市场，泛林半导体、东京电子和应用材料三家公司合计份额约90%。中微公司在大陆市场的表现更为突出，按照SEMI的估算，中微公司在大陆刻蚀设备市场的份额达到20%，是国产替代的先锋力量。
为什么高深宽比刻蚀被视为关键突破？
3D NAND通过增加堆叠层数来提升存储密度，需要在极深的结构中完成高精度刻蚀，这对设备的射频功率、气流分布和副产物排出能力提出了极高要求。中微公司的Primo SSC HD-RIE正是针对这一需求开发，其技术突破意味着国产CCP设备在存储芯片这一高价值细分领域具备了与国际巨头竞争的能力，是补齐CCP版图的历史性拐点。