据Gartner口径，全球刻蚀设备市场规模已从2019年的109亿美元提升至197亿美元，复合增长率超过20%。刻蚀环节位于晶圆制造设备的中游：上游是射频电源、真空腔体、静电吸盘等核心零部件供应商，中游是等离子体刻蚀整机厂商，下游则是逻辑与存储晶圆厂。 按技术分支看，ICP与CCP应用占比接近，但ICP单机价值更高，市场规模明显高于CCP，两者分别对应硅刻蚀与介质刻蚀等不同工艺环节的配套需求。
中游整机：ICP与CCP分工明确
等离子体刻蚀设备一般由多个真空反应腔和主机传递系统组成，原理是用等离子体放电产生的活性粒子在电压加速下轰击硅片表面，与被刻蚀材料反应生成可挥发气体，从而加工出微观结构，废气由真空腔抽离。
两种主流技术路线的刻蚀对象不同：
| 技术分支 | 适用工艺 | 主要厂商 |
|---|---|---|
| CCP（电容性等离子体刻蚀） | 逻辑IC前段工艺中的栅侧墙、硬掩膜刻蚀，封装环节的接触孔、铝垫刻蚀，NAND中的深斜孔槽 | 拉姆研究、东京电子、中微公司 |
| ICP（电感性等离子体刻蚀） | 浅沟槽隔离、多晶硅栅、金属栅、应变硅、金属导线、镶嵌式刻蚀金属硬掩膜等 | 拉姆研究、应用材料、北方华创、中微公司 |
硅刻蚀直接决定芯片制程，对精确度要求很高，一般使用ICP；氧化硅和氮化硅硬度高，需要高离子能量，一般使用CCP。中微公司的CCP设备覆盖了约七成介质刻蚀应用，并已切入ICP赛道；北方华创则长期专注硅刻蚀与金属刻蚀，核心设备制程达到28nm。
上游零部件与下游晶圆厂
刻蚀设备的上游是射频电源、真空腔体、静电吸盘等核心零部件。以静电吸盘为例，中微公司在Primo AD-RIE-e上改进了静电吸盘，达到四分区单独温控并有动态调温功能——零部件的性能升级直接决定整机的工艺能力。
下游需求由晶圆厂驱动。随着制程升级和芯片向3D结构发展，刻蚀次数显著增加：65nm约20次，5nm已达160次；在3D NAND制造中，刻蚀设备价值量占比从2D NAND的15%升至50%。这使晶圆厂对刻蚀设备的数量和质量都提出了更高要求。
常见问题
刻蚀设备产业链上下游分别是谁？
上游是射频电源、真空腔体、静电吸盘等核心零部件供应商；中游是等离子体刻蚀整机厂商，如拉姆研究、东京电子、应用材料、中微公司、北方华创；下游是逻辑与存储晶圆厂，其制程升级与3D结构演进直接拉动刻蚀设备需求。
ICP和CCP有什么区别？
两者最根本的差异在于刻蚀对象。ICP主要用于硅刻蚀，如浅沟槽隔离、多晶硅栅等，对精确度要求高；CCP主要用于介质刻蚀，如氧化硅、氮化硅，需要高离子能量。资料显示两者应用占比分别为43%和42%，但ICP单机价值更高，市场规模明显高于CCP。
刻蚀设备市场为何持续增长？
制程升级使刻蚀次数成倍增加，从65nm的约20次升至5nm的160次；同时芯片向3D结构发展增加了叠堆层数，3D NAND中刻蚀设备价值量占比达50%。晶圆厂对刻蚀机的数量和质量要求同步提升，驱动刻蚀环节价值量持续上行。