半导体设备中CCP与ICP单机价值差异明显，刻蚀环节的议价能力如何沿产业链传导？

刻蚀环节的议价能力，本质上由技术壁垒与竞争格局共同决定。 在干法刻蚀中，ICP（电感性等离子体刻蚀）与 CCP（电容性等离子体刻蚀）的应用占比接近，但 ICP 因单机价值更高，市场规模明显高于 CCP。全球干法刻蚀设备高度集中，泛林半导体、东京电子、应用材料三家合计份额约 90%，其中泛林半导体在全球占 46.71%、在大陆市场占 52%，这种格局使头部设备商在高端刻蚀环节具备较强的议价地位，并沿产业链向晶圆厂传导。

一、ICP 与 CCP：单机价值差异从何而来

两者最根本的差异在于刻蚀对象。硅刻蚀直接决定芯片制程，精度要求高，一般使用 ICP；介质材料氧化硅、氮化硅硬度高，需要高离子能量，一般使用 CCP。

在需求端，制程升级与结构 3D 化持续推高刻蚀价值量。随着工艺节点演进，刻蚀次数显著增加；在 3D NAND 制造中，刻蚀设备占设备投资比重由 2D 时代的 15% 升至 50%。应用占比上，硅刻蚀（ICP）约 43%、介质刻蚀（CCP）约 42%，但 ICP 单机价值更高，因此市场规模更大。

二、竞争格局如何决定议价能力

刻蚀设备市场集中度极高，这是议价能力的核心来源。全球干法刻蚀设备份额分布如下：

三家海外厂商合计约 90%，泛林半导体在全球与大陆市场均占约 50%。在半导体设备这种马太效应很强的行业，头部厂商凭借技术积累与客户验证壁垒，在高端刻蚀环节的议价能力较强，晶圆厂在先进制程产线上的选择空间相对有限。

三、议价能力如何沿产业链传导

传导路径大致为：技术壁垒 → 市场集中度 → 设备商议价能力 → 晶圆厂采购成本与供应链选择。

国产厂商正在改变这一格局。中微公司的 CCP 设备覆盖 65nm 至 5nm 工艺，并进入台积电 7nm 和 5nm 产线，是唯一进入台积电供应链的国产刻蚀设备厂商；其 ICP 设备制程达 28nm。北方华创专注硅刻蚀（ICP）与金属刻蚀，核心设备制程达 28nm，14nm 工艺进入验证阶段。在大陆市场，中微公司与北方华创份额分别达 20% 和 6%，国产替代已取得实质进展，这有助于在部分环节增强晶圆厂的议价空间。

常见问题

ICP 和 CCP 哪个市场规模更大？

应用占比上两者接近，硅刻蚀（ICP）约 43%、介质刻蚀（CCP）约 42%。但 ICP 单机价值更高，因此市场规模明显高于 CCP。

刻蚀设备市场为何集中度这么高？

刻蚀直接决定芯片制程精度，技术壁垒高、客户验证周期长，叠加半导体设备行业马太效应强，头部厂商得以长期维持较高份额。

国产刻蚀设备的进展如何？

中微公司 CCP 覆盖 65nm 至 5nm 并进入台积电供应链，ICP 达 28nm；北方华创 ICP 与金属刻蚀核心制程达 28nm，14nm 进入验证阶段。两者在大陆市场份额分别为 20% 和 6%。