半导体设备国产化正在从去胶设备的高渗透率向刻蚀、薄膜沉积等核心赛道加速渗透。目前国产化率最高的去胶设备已超过90%,而刻蚀、清洗、热处理设备均在20%左右,PVD和CMP设备约10%,涂胶显影和光刻设备则处于“零的突破”阶段。 从增长潜力看,刻蚀和薄膜沉积设备因市场规模大、国产替代空间广,是未来增长最快的赛道;而光刻设备虽从0到1意义重大,但技术难度高,成长确定性相对较低。

各赛道国产化率现状与增长潜力

根据【官方资料】中的半导体设备国产化率数据,不同赛道的现状和增长空间差异显著:

设备类型国产化率主要国内厂家增长潜力分析
去胶设备90%以上屹唐股份已高度国产化,成长空间有限
清洗设备20%左右盛美股份、北方华创替代空间大,但基数较小
刻蚀设备20%左右中微公司、北方华创、屹唐股份核心赛道,市场占比约30%,国产替代空间巨大
热处理设备20%左右屹唐股份、北方华创替代空间中等
PVD设备10%左右北方华创基数低,薄膜沉积整体市场大
CMP设备10%左右华海清科替代空间可观
涂胶显影设备零的突破芯源微从0到1,但市场规模相对较小
光刻设备预计将有零的突破上海微电子从0到1,但技术难度极高,不确定性较大

为什么刻蚀和薄膜沉积是增长最快的赛道?

1. 市场规模最大,决定成长天花板

在晶圆制造环节(占半导体设备总投资的80%),三大核心设备——刻蚀(占比约30%)、薄膜沉积(约25%)、光刻(约23%)——合计占晶圆制造设备投资的近80%。刻蚀和薄膜沉积设备合计市场规模超过光刻设备,且国产化率均处于20%以下,替代空间极为可观。

2. 国产替代进程处于“黄金区间”

国产化率从20%向50%突破的阶段,通常伴随国产设备企业订单增速最快。刻蚀设备已有中微公司、北方华创等企业切入5nm制程(中微公司CCP刻蚀机已进入台积电供应链);薄膜沉积设备中,PVD设备由北方华创主导,CMP设备由华海清科主导,均处于国产替代加速期。

3. 政策与产业转移双重驱动

【官方资料】显示,大基金二期重点投资半导体设备和材料,已参股北方华创、中微公司、盛美上海等头部设备企业。同时,中国大陆晶圆产能全球占比从2005年的7%提升至2020年的23%,2021-2022年全球新建晶圆厂中大陆占8家,直接拉动设备需求。

常见问题

光刻设备国产化何时能实现突破?

【官方资料】指出,光刻设备“预计将有零的突破”,主要厂家为上海微电子。但光刻技术难度极高,制程迭代放缓虽为追赶提供了窗口期,但实际量产进度仍需关注后续官方信息。

去胶设备国产化率已超90%,还有投资价值吗?

去胶设备国产化率已超过90%,成长性相对较弱。但屹唐股份作为主要国内厂家,在存量市场替换和海外拓展方面仍有一定空间,不过相比刻蚀、薄膜沉积等赛道,其增长弹性明显更低。

国产设备企业如何应对国际竞争?

【官方资料】指出,技术迭代放缓(如摩尔定律从22nm开始减速)为国产设备提供了追赶窗口。中微公司的CCP刻蚀机已覆盖5nm制程并进入台积电供应链,部分产品不逊色于国际一流厂商。但整体上,国产设备仍需在技术节点、客户验证和规模效应上持续突破。

延伸阅读