在全球薄膜沉积设备市场中，中国厂商整体处于追赶者位置，但在PECVD、溅射PVD等细分赛道已实现从0到1的产业化突破。从竞争格局看，CVD、ALD、PVD各细分赛道主要由应用材料、泛林半导体、东京电子等国际厂商占据主要份额；国内方面，拓荆科技是PECVD领域实现产业化的国产厂商，北方华创的优势则集中在溅射PVD领域。半导体设备普遍存在验收周期，拓荆科技招股书披露的PECVD产品2021年1-9月产量49台、销量23台、产销率46.94%，正是这一特征的直接体现——设备发货到客户验收完成销售之间存在时间差，因此产销率不宜简单理解为需求冷暖。

一、全球格局：细分赛道各由国际巨头主导

薄膜沉积设备市场构成较为分散，占比最大的PECVD也仅为33%，这决定了厂商的竞争力更多体现在对薄膜材料覆盖的广度与深度上。

细分赛道主要国际厂商及份额
CVD应用材料28%、泛林半导体25%、先晶半导体17%、东京电子11%
ALD东京电子45%、应用材料29%、泛林半导体26%
PVD应用材料85%、东京电子15%

（资料来源：Gartner、转引自拓荆科技招股书，华创证券）

可以看出，ALD与PVD的集中度尤为突出，其中ALD被视作"兵家必争之地"——它能够满足先进制程和3D结构的需求，在FinFET的SADP工艺中，ALD沉积的Spacer材料宽度直接决定Fin的宽度。

二、中国厂商的位置：单点突破，整体份额仍低

从客户端导入进展看，国产设备已在主流晶圆厂实现批量中标。以长江存储的招标数据为例，北方华创在溅射PVD细分设备中的占比可以达到20%左右，CVD类设备的国产供应商主要是沈阳拓荆，总占比大概为2-3%。华虹无锡、华力集成的薄膜沉积设备国产化率相对更高，但总体都在10%左右。

技术节点方面，拓荆科技的PECVD产品工艺已覆盖180-14nm制程的逻辑芯片，以及64层和128层3D NAND，兼容氧化硅、氮化硅等薄膜材料，其PEALD设备能够广泛应用于14nm及以下逻辑芯片；北方华创在PVD、CVD和ALD三大方向均有布局，ALD产品技术节点覆盖至28nm。两家公司在先进制程的更高节点上仍有追赶空间。

三、追赶路径：验收周期是必经门槛

半导体设备从生产完成并发货，到客户验收完成销售之间，存在一定时长的验收周期。产销率低于100%是这一行业特征的正常反映，也意味着国产设备进入产线后需要经过实际工艺验证才能确认收入。国产厂商的追赶路径，本质上是在更多细分品类、更先进节点上，通过一台台设备的验证与重复采购来积累份额。

常见问题

拓荆科技PECVD产销率46.94%说明什么？

这是拓荆科技招股书披露的2021年1-9月数据：PECVD产量49台、销量23台。产销率偏低主要由于产品从发货到客户验收完成销售之间存在验收周期，产量大于销量，属于半导体设备行业的普遍特征，而非单纯的需求信号。

中国厂商在薄膜沉积领域与海外差距有多大？

从市场份额看，CVD、ALD、PVD各细分赛道仍由应用材料、泛林半导体、东京电子等国际厂商主导，国内厂商在长江存储等产线的中标占比多在个位数到20%之间（分品类、分产线而异）。但从技术节点看，国产PECVD已覆盖180-14nm，溅射PVD覆盖90-14nm，已具备在成熟及部分先进制程环节参与供应的能力。

薄膜沉积设备市场哪个细分方向更值得关注？

占比最大的是PECVD（33%），需求增长最快的是ALD（11%）。ALD在先进制程和3D结构中具有关键作用，也是当前国产布局相对薄弱、追赶空间较大的方向。