薄膜沉积环节的自主可控已从“单点突破”走向“多品类覆盖”，但整体国产化率仍处早期。拓荆科技是国内唯一实现PECVD设备产业化的厂商，其PECVD产品在2021年1-9月产量49台、销量23台，产销率46.94%，这一数字并非需求疲软，而是半导体设备“发货—验证—验收”周期较长的正常财务映射。北方华创则在溅射PVD领域形成较强竞争力，ALD方面两家公司均有布局，但先进制程与关键零部件自主供应仍是主要短板。

产销率46.94%说明了什么

半导体设备从生产完成、发货到客户验收完成销售，中间存在一定时长的验收周期，使得产量大于销量。拓荆科技招股说明书披露，其PECVD产品2021年1-9月产量49台、销量23台，产销率46.94%；2020年度产销率62.00%，2019年度为86.36%。这一波动反映的是设备验收节奏，而非订单流失。客户需在实际产线上完成工艺验证后才会确认验收，这正是薄膜沉积设备导入门槛高的体现。

细分赛道的自主可控进展

薄膜沉积市场构成分散，占比最大的PECVD也只有33%，ALD占11%。各细分赛道此前主要由应用材料、东京电子等国际巨头主导，因此国产替代考验的是厂商对薄膜材料覆盖的广度与深度。

从下游产线中标情况看，国产设备已实现从无到有的导入：

产线国产厂商中标薄膜设备国产化率（按机台数量）
长江存储沈阳拓荆（CVD类）约2-3%
长江存储北方华创（溅射PVD）约20%
华虹无锡沈阳拓荆 / 北方华创合计约10%左右
华力集成沈阳拓荆 / 北方华创合计约10%左右

数据来源：中国采招网、国盛证券研究所

可以看到，溅射PVD环节的替代进度相对领先，CVD类设备仍处于早期渗透阶段，ALD则更依赖客户端工艺验证的持续推进。

产品覆盖与关键短板

拓荆科技的PECVD产品工艺已覆盖180-14nm逻辑芯片及64层、128层3D NAND，兼容氧化硅、氮化硅等薄膜材料；其PEALD设备可应用于14nm及以下逻辑芯片。北方华创在PVD、CVD和ALD三大方向均有布局，ALD技术节点覆盖至28nm。

短板同样清晰：一是先进制程设备的产业化验证仍在进行中，部分型号处于研发或验证阶段；二是关键零部件的自主供应能力，官方尚未公布完整的国产化配套数据，建议以官方后续公布及第三方实测为准。

常见问题

薄膜沉积设备的国产化率目前是多少？

不同产线、不同细分品类差异较大。以长江存储为例，CVD类设备国产供应商占比约2-3%，溅射PVD约20%；华虹无锡和华力集成的薄膜设备国产化率总体在10%左右。整体仍处于早期渗透阶段。

拓荆科技在PECVD领域的地位如何？

按招股说明书披露，拓荆科技是国内唯一实现PECVD设备产业化的厂商，产品覆盖180-14nm逻辑芯片及3D NAND，客户端包括中芯国际、华虹集团、长江存储等。

ALD设备为什么被视为“兵家必争之地”？

ALD能满足先进制程和3D结构需求，在FinFET自对准双重成像工艺中，ALD沉积的Spacer材料宽度直接决定Fin的宽度，是制约逻辑芯片先进程度的核心因素之一。目前该环节国产设备的技术节点覆盖与客户端验证仍在推进。