大基金一期与二期均将北方华创作为重点投资标的，揭示了国内半导体设备龙头在刻蚀、薄膜沉积、清洗等综合产品线的技术布局。半导体设备各细分领域的技术壁垒极高，竞争焦点集中在刻蚀（CCP与ICP路线分化）、薄膜沉积（PVD/CVD/ALD技术难度分层）以及清洗设备的国产化率提升上。其中，刻蚀设备与薄膜沉积设备合计占晶圆制造设备投资的55%左右，是技术壁垒最高、国产替代空间最大的核心赛道。
刻蚀设备：CCP与ICP的技术路线分化
刻蚀设备是晶圆制造中占比最高的设备类别，约占总投资的30%。技术路线主要分为CCP（电容耦合等离子体） 和ICP（电感耦合等离子体） 两类。CCP刻蚀机在介质层刻蚀中优势明显，而ICP刻蚀机更适用于导体和硅通孔等精细结构。国内代表企业中，中微公司的CCP刻蚀机已覆盖至5nm制程并进入台积电供应链，部分产品已不逊色于国际一流厂商；北方华创则同时布局CCP与ICP刻蚀，产品线更全面。当前刻蚀设备国产化率约20%左右，主要厂家包括中微公司、北方华创和屹唐股份。
薄膜沉积设备：PVD/CVD/ALD的技术难度分层
薄膜沉积设备约占晶圆制造投资的25%，是仅次于刻蚀的第二大设备类别。其技术难度从PVD（物理气相沉积） 到CVD（化学气相沉积） 再到ALD（原子层沉积） 逐级递增：PVD主要用于金属薄膜沉积，国产化率约10%左右，以北方华创为主要厂家；CVD工艺更复杂，国产化率相对更低；ALD则要求极高的原子级厚度控制，技术壁垒最高。北方华创是国内PVD设备的代表性企业，其刻蚀机和PVD设备在2020年投入市场后获得下游积极反馈，订单增长迅速。
清洗设备：国产化率与竞争格局
清洗设备在晶圆制造中用于去除颗粒和杂质，国产化率约20%左右，主要厂家为盛美上海和北方华创。相比刻蚀和薄膜沉积，清洗设备的技术门槛相对较低，但仍是国产替代的重要环节，盛美上海在单晶圆清洗领域具备较强竞争力。
常见问题
大基金一期和二期为何都选择投资北方华创？
大基金一期和二期均出现在北方华创前十大股东中，持股比例分别约为7.46%和0.94%。这主要因为北方华创是国内产品线最全面的半导体设备平台，覆盖刻蚀、薄膜沉积、清洗、热处理等多个环节，符合大基金重点投资设备和材料领域的战略。
刻蚀设备中CCP与ICP技术路线的主要区别是什么？
CCP（电容耦合）刻蚀机主要用于介质层（如氧化硅、氮化硅）的刻蚀，在深宽比结构上表现更优；ICP（电感耦合）刻蚀机则更适合导体和硅通孔等精细结构，刻蚀速率更快。中微公司以CCP技术见长，北方华创则同时覆盖两种路线。
薄膜沉积设备中PVD、CVD和ALD的技术难度如何排序？
从技术难度看，PVD < CVD < ALD。PVD主要通过物理溅射沉积金属薄膜，国产化率约10%，北方华创是主要供应商；CVD依赖化学反应，工艺控制更复杂；ALD则要求原子级精度，技术壁垒最高，目前国产化率极低。