薄膜沉积的国产替代无法按单一进度整体推进，因为CVD、PVD、ALD、外延沉积四大类方法特点各异、适用领域不同，彼此不存在明显的替代关系，替代优先序需按细分技术路线分别评估。从市场结构看，占比最大的 PECVD 份额为 33%，溅射 PVD 为 19%，ALD 为 11%，没有一条路线占据主导地位，这意味着替代空间分散在多个细分赛道，需结合下游制程需求与各路线技术门槛分别判断。

四大路线为何不能合并衡量

四大类方法为满足不同制程与功能需求，又衍生出 PECVD、LPCVD、溅射 PVD、蒸镀 PVD 等细分技术，各自适用的领域不同。市场构成同样分散：除 PECVD 占 33%、溅射 PVD 占 19%、ALD 占 11% 外，管式 CVD 占 12%，非管式占 11%，其他薄膜沉积设备（包括 SACVD）占 6%，LPCVD 与电镀 ECD 各占 4%。要在这一市场中立足，更考验厂商对薄膜材料覆盖的广度和深度，而非单点突破。

各细分路线的成熟度差异

国内厂商的布局呈现明显的路线分化：

  • 溅射 PVD：北方华创在 PVD、CVD、ALD 三大方向均有布局，其中 PVD 是优势方向，主要即溅射 PVD。据其官网介绍，已推出 13 款 PVD 产品，覆盖 90-14nm 多个制程工艺。
  • PECVD：拓荆科技主要产品覆盖规模最大的 PECVD 与需求增长最快的 ALD，并延伸至 SACVD。按招股说明书披露，该公司是国内唯一一家实现 PECVD 设备产业化的厂商，产品工艺覆盖 180-14nm 逻辑芯片及 64 层、128 层 3D NAND。
  • ALD：拓荆科技的 PEALD 设备在国内处于领先地位，可广泛应用于 14nm 及以下逻辑芯片；北方华创的 ALD 产品技术节点覆盖至 28nm。

两家公司的产品重合度并不高，替代进度自然无法用同一标尺衡量。

优先序应结合下游制程需求判断

从需求端看，制程进步使薄膜沉积工序量增加——90nm CMOS 工艺为 40 道，3nm FinFET 工艺产线为 100 道；芯片向 3D 化发展后，薄膜沉积在 3D NAND FLASH 产线资本开支中的占比由 2D 的 18% 提升至 3D 的 26%。ALD 因能满足先进制程和 3D 结构需求，被称为“兵家必争之地”，但其份额仅为 11%。因此，优先推进哪条路线，取决于下游是先进逻辑、存储还是封装需求，而非单一维度的高低排序。

常见问题

薄膜沉积四大路线之间会互相替代吗？

不会。CVD、PVD、ALD 和外延沉积因特点存在差异、适用领域不同，不存在明显的替代关系。各路线衍生的细分技术（如 PECVD、LPCVD、溅射 PVD、蒸镀 PVD）同样各有其适用场景。

国产替代进度最快的是哪条路线？

不能一概而论。北方华创在溅射 PVD 这一细分设备中的占比相对较高，而 CVD 类设备的国产供应商主要是拓荆科技。不同细分赛道的成熟度不同，需分别评估。

为什么 ALD 份额不高却值得重视？

ALD 能够很好地满足先进制程和 3D 结构的需求，例如在 28nm 以下先进制程的 SADP 工艺中，ALD 沉积的 Spacer 材料宽度决定了 Fin 的宽度，是制约逻辑芯片先进程度的核心因素之一，因此被视为重点方向。