在薄膜沉积设备市场中，PECVD 以 33% 的份额位居各细分品类之首，ALD 占比约 11%，却是先进制程的“兵家必争之地”。拓荆科技围绕 ALD/PEALD 构建技术壁垒的核心路径，是在 ALD 这一需求增长最快的细分赛道上率先实现产业化落地：其 PEALD 设备 FT-300T（PE）已进入产业化应用阶段，可覆盖 28-14nm 纳米 SADP、STI Liner 工艺及 55-40nm BSI 工艺，并能够广泛应用于 14nm 及以下的逻辑芯片。
ALD 为何是先进制程的必争之地
薄膜沉积主要分为 CVD、PVD、ALD 和外延四大类方法，各类技术因特点不同而适用领域不同，不存在明显的替代关系。其中 ALD 的性能较强，能够较好满足先进制程和 3D 结构的需求，因此虽然当前占比仅 11%，却是各方重点布局的方向。
ALD 的不可替代性体现在具体工艺中。以 28nm 以下的先进制程普遍采用的 FinFET 结构为例，难点在于 Fin 的形状控制：在 22nm 制程中，Fin 宽度远小于光刻机所能制造的最小尺寸，需要借助自对准双重成像技术（SADP）实现，而该工艺中由 ALD 沉积的 Spacer 材料宽度直接决定 Fin 的宽度，是制约逻辑芯片先进程度的核心因素之一。在这一流程中，ALD 虽然只使用一次，却决定了最终的芯片制程。此外，ALD 设备在金属栅、BSI 等工艺中同样存在大量应用，可用于制造 CMOS 器件、存储芯片和 TSV 封装等。
拓荆科技 ALD 产品线的产业化布局
拓荆科技的产品已覆盖规模最大的 PECVD 和需求增长最快的 ALD，并延伸至 SACVD。在 ALD 方向，其产品布局覆盖多个技术分支：
| 类型 | 产品型号 | 晶圆尺寸 | 覆盖工艺 | 阶段 |
|---|---|---|---|---|
| PEALD | FT-300T（PE） | 12 英寸 | 28-14nm SADP、STI Liner；55-40nm BSI；2.5D、3D TSV 先进封装 | 产业化应用 |
| Thermal-ALD | T-300T（Thermal） | 12 英寸 | 28nm 以下 | 研发中 |
| ALD | FT-300H | 12 英寸 | 128 层以上 3D NAND FLASH、19/17nm DRAM 存储芯片晶圆制造 | 研发中 |
其中 FT-300T（PE）是产业化进度最靠前的产品，沉积薄膜类型为介质材料薄膜。整体来看，拓荆科技产品的工艺已覆盖 180-14nm 制程的逻辑芯片，以及 64 层和 128 层的 3D NAND，并能够兼容氧化硅和氮化硅等薄膜材料。
技术壁垒如何形成
薄膜沉积设备市场构成较为分散，占比最多的 PECVD 份额也只有 33%，这意味着厂商的生存能力更多取决于对薄膜材料覆盖的广度和深度。同时，各细分赛道长期由国际巨头主导，国产替代仍处于推进过程中。
在这一背景下，拓荆科技构建壁垒的支点在于两点：一是在 ALD 这一需求增长最快的细分方向形成较完整的机型矩阵，覆盖 PEALD、Thermal-ALD 与面向存储的 ALD 三条路线；二是率先推动 PEALD 设备进入产业化应用，使其可服务于 14nm 及以下逻辑芯片的先进工艺需求。需要说明的是，Thermal-ALD 与 FT-300H 目前仍处于研发阶段，其后续产业化进展将影响整体产品线的成熟节奏。
常见问题
拓荆科技的 PEALD 设备目前处于什么阶段？
其 PEALD 设备 FT-300T（PE）已进入产业化应用阶段，可应用于 28-14nm 纳米 SADP、STI Liner 工艺以及 55-40nm BSI 工艺，并能够广泛应用于 14nm 及以下的逻辑芯片，同时可用于 2.5D、3D TSV 先进封装。该设备为 12 英寸晶圆规格，沉积介质材料薄膜。
ALD 在薄膜沉积设备市场中占比不高，为什么仍被视为关键赛道？
ALD 占比约 11%，但性能较强，能够较好满足先进制程和 3D 结构的需求。在 SADP 工艺中，ALD 沉积的 Spacer 宽度决定 Fin 宽度，直接关系逻辑芯片的先进程度；在金属栅、BSI 等工艺中也有大量应用。因此其战略重要性并不由当前份额高低决定。
拓荆科技在 ALD 方向的布局是否已经完整？
目前已形成 PEALD、Thermal-ALD 和面向存储芯片的 ALD 三条产品线，其中 PEALD 已实现产业化应用，Thermal-ALD 与 FT-300H 仍处于研发中。整体产品工艺覆盖 180-14nm 逻辑芯片及 64 层、128 层 3D NAND。后续各机型的产业化推进节奏，需以官方后续公布及客户端验证进展为准。