随着制程从90nm推进到3nm，薄膜沉积工序数已从40道增至100道，全球薄膜沉积设备市场长期由应用材料、东京电子等国际巨头主导。中国厂商在薄膜沉积领域已实现多点突破，但整体仍处于追赶者位置——拓荆科技在PECVD领域是国内唯一实现产业化的厂商，北方华创在溅射PVD领域具备较强竞争力，两家公司在ALD领域均有布局，但全球市场份额与国际巨头仍有明显差距。

全球格局：细分赛道各有霸主

薄膜沉积设备市场构成较为分散，占比最大的PECVD份额约为33%，其次是溅射PVD（19%）、管式CVD（12%）、ALD（11%）等。各细分赛道均由国际巨头垄断：应用材料在PVD领域占据约85%份额，东京电子在ALD领域占据约45%份额，CVD领域则由应用材料（28%）、泛林半导体（25%）、先晶半导体（17%）等分食。

值得注意的是，ALD虽然目前占比仅11%，但因能实现原子层级别的厚度控制，是先进制程和3D结构芯片的“兵家必争之地”，也是各厂商重点布局的方向。

中国厂商位置：局部突破，整体追赶

国内薄膜沉积设备的国产替代已进入快车道，主力厂商为拓荆科技和北方华创两家。

拓荆科技的产品覆盖规模最大的PECVD和需求增长最快的ALD，其PECVD设备已实现产业化，工艺覆盖180-14nm制程的逻辑芯片及64/128层3D NAND存储芯片；PEALD设备可应用于14nm及以下的逻辑芯片。北方华创的优势集中在溅射PVD领域，已推出多款PVD产品覆盖90-14nm制程，打破了应用材料在部分领域的垄断；其ALD产品技术节点覆盖至28nm。

从国内主流晶圆厂的中标数据看，国产设备已实现批量导入。以长江存储的薄膜设备采购为例，北方华创在溅射PVD细分设备中的占比可达20%左右，拓荆科技在CVD类设备中的占比约为2-3%。在华虹无锡、华力集成等产线中，两家国产厂商的合计中标占比总体在10%左右。

常见问题

薄膜沉积工序数翻倍意味着什么？

工序数从90nm的40道增至3nm的100道，直接拉动了薄膜沉积设备的需求量。同时芯片向3D化发展后，薄膜沉积在产线资本开支中的占比从2D时代的18%提升至3D时代的26%，市场规模随之持续扩大。

中国厂商与国际巨头的主要差距在哪里？

差距主要体现在全球市场份额和先进制程覆盖上。应用材料、东京电子在PVD、ALD等核心赛道占据绝对份额优势，而国产厂商目前更多是在国内特定客户中实现突破，全球市场影响力仍有限。在ALD等先进制程关键设备上，国产厂商的技术节点覆盖与国际巨头也存在差距。

国产替代的进度如何？

国产替代已取得实质性进展，但整体国产化率仍处于较低水平。从主流晶圆厂的中标数据看，国产薄膜沉积设备的占比总体在10%左右，其中北方华创在溅射PVD领域占比可达20%，拓荆科技在PECVD领域已实现产业化突破。后续替代进度需持续跟踪各产线的设备采购数据。