曝光环节的半导体材料国产替代，呈现“成品有突破、上游原材料仍有短板”的格局：**国产厂商在 KrF、ArF 等主要光刻胶品类上已实现从零到一的突破，但作为价值量最大、技术壁垒最高的成膜树脂，以及高纯度单体供应，仍是自主可控最关键的待补环节。**整体看，越靠近曝光核心材料的上游，国产化难度越高。

光刻胶成品：主要品类已有突破

光刻的本质，是光线通过光掩膜和物镜，将缩小版电路图形映射到光刻胶上；激光器发出的光线还需经过矫正、能量控制等工序。光刻胶与曝光光线匹配，可分为 g 线、i 线、KrF、ArF、浸没式 ArF、EUV 等类别，其中 KrF 与 ArF 是最主要的两大类，分别对应 3D 堆叠架构和相对先进的制程工艺。

在这一层面，以徐州博康、晶瑞电材为代表的国产厂商已实现从零到一的突破。KrF、ArF 这类主力品类率先破局，意味着国产光刻胶已站上导入成熟制程的起点，接下来的考验是从单点突破走向稳定放量。

真正的短板：成膜树脂与单体

从价值量看，成膜树脂约占总材料成本的 50%，单体约占 35%，是光刻胶最核心的原材料。而各类光刻胶所需的树脂几乎全部由海外垄断，即使较低端的 G 线环化橡胶树脂和 i 线线性酚醛树脂，也主要依赖进口；高端的 ArF 树脂则“想买都买不到”。成膜树脂产业化的难点集中在两方面：一是树脂合成技术的 Know-how 积累，二是单体的稳定供应。

单体性能要求极高，纯度需达到 99.5%，金属离子含量需小于十亿分之一，目前能稳定满足这一水平的单体供应商只有四五家。在这一最关键的单体领域，徐州博康已拥有品种最多、产量最大的 KrF 和 ArF 单体，其中 ArF 单体覆盖 80% 以上，并打通了除单体以外的其他原材料。

相对乐观的环节：溶剂与光引发剂

价值量占比不高的材料，国内企业表现相对较好。溶剂主要成分 PMA 的国内产能占全球总产量的 35%；光引发剂方面，国产龙头久日新材产品在国内市占率已接近三成。国内已有较多公司在溶剂、单体、树脂、光引发剂各环节布局，但布局不等于量产替代，高端品类仍需持续攻坚。

环节价值量占比国产化现状
成膜树脂约 50%几乎全部海外垄断，高端 ArF 树脂难以获取
单体约 35%稳定供应商仅四五家，博康 ArF 单体覆盖 80% 以上
溶剂较低国内 PMA 产能占全球 35%
光引发剂较低久日新材国内市占率接近三成

常见问题

光刻胶国产替代目前进展到哪一步？

KrF、ArF 等主要品类的国产厂商已实现从零到一的突破，进入从一到 N 的推进阶段。但成膜树脂等上游原材料仍高度依赖进口，整体自主可控尚未完成。

自主可控最卡脖子的环节是什么？

成膜树脂及其核心原料单体。树脂合成依赖长期 Know-how 积累，单体则要求极高纯度与稳定供应，目前合格供应商数量很少，是绕不开的关键环节。

光掩膜在曝光环节起什么作用？

光掩膜是曝光图形的“母版”，光线通过光掩膜和物镜后，将缩小版电路图形映射到光刻胶上，其精度直接关系到图形能否准确转移。