在CMP（化学机械抛光）材料中，抛光垫的价值量占比约为33%。软垫与硬垫在全球范围内的价值量比例约为1:8，国内因软垫主要面向先进制程、使用相对较少，软硬比例约为1:10。硬垫以聚氨酯材质为主，典型产品如IC1000™，主要用于铜bulk、钨、STI/二氧化铈、氧化物等对去除率要求较高的场景；软垫包括无纺布抛光垫与带绒毛结构的无纺布抛光垫，典型产品如SUBA™、Politex™，多用于硅片抛光、铜barrier等精抛与表面保护环节。抛光垫细分市场的增长，核心驱动力来自先进制程金属层数增加与3D NAND堆叠层数提升所共同拉动的CMP步骤数增长——每一步CMP都需要消耗抛光垫，步骤数越多，抛光垫的耗用量与市场空间就越大。
一、为什么CMP步骤数会持续增加
CMP是半导体制造中的重要环节，其作用是对晶圆进行全局平坦化处理，使表面平整度达到纳米级，方便添加下一层电路特征。这意味着每增加一层需要平坦化的结构，就对应增加相应的CMP工序。
在逻辑芯片方向，随着制程推进，芯片内部金属互连层数不断增加，铜及铜阻挡层等抛光需求随之上升。资料显示，铜及铜阻挡层抛光液用于芯片中铜及阻挡层的去除和平坦化，生产逻辑、存储芯片需大量使用；钨抛光液用于钨塞和钨通孔的平坦化，生产存储芯片需大量使用，逻辑芯片则用于部分工艺段。金属层数越多，这类平坦化步骤的累计次数就越多。
在存储方向，3D NAND通过堆叠层数提升容量，堆叠层数越高，需要经历的CMP步骤数也随之增加。逻辑芯片金属层数与3D NAND堆叠层数的双重提升，是CMP步骤数增长的两条主线，也是抛光垫需求扩张的底层逻辑。
二、软垫与硬垫的价值分布
| 类别 | 材质与典型产品 | 典型应用 |
|---|---|---|
| 硬垫 | 聚氨酯，如IC1000™ | 铜bulk、钨、STI/二氧化铈、氧化物等 |
| 软垫 | 无纺布（SUBA™）、带绒毛结构无纺布（Politex™） | 硅片抛光、铜barrier等 |
硬垫抗撕裂强度高、耐磨性强、抛光效率高，但容易划伤芯片表面、均匀性相对差；软垫硬度低、压缩比大、弹性好，可获得表面粗糙度小、片内均匀性好的效果。全球软垫与硬垫价值量比例约为1:8，国内约为1:10，这一结构差异与软垫主要应用在先进制程有关。随着先进制程占比提升，软垫的应用空间也有望随之扩大。
三、国产化进展带来的供给侧变化
抛光垫的技术难点在于聚氨酯的孔洞结构规整程度——孔洞结构的规整程度决定抛光效率，是衡量抛光垫质量的核心指标之一，相关生产专利长期集中在海外厂商手中。
国内方面，鼎龙股份已实现抛光垫产品量产，硬垫产品覆盖28nm及以上全部制程，客户包括长江存储、武汉新芯、中芯国际、长鑫存储等国内主流晶圆厂，部分晶圆厂内达到一供地位。随着其潜江工厂软垫产线投产，公司将具备全系列、全制程的抛光垫生产能力，并计划拓展海外市场。国产供给能力的补齐，正在从供给侧为抛光垫市场注入新的变量。
常见问题
抛光垫市场增长主要由哪些制程需求驱动？
主要来自两方面：一是逻辑芯片金属互连层数增加，带动铜及铜阻挡层、钨等CMP步骤数上升；二是3D NAND堆叠层数提升，同样推高CMP步骤数。每一步CMP都要消耗抛光垫，因此步骤数增长直接对应抛光垫耗用量与市场空间的扩张。
软垫和硬垫的价值量比例是多少？
全球范围内软垫与硬垫的价值量比例约为1:8。国内由于软垫主要应用在先进制程、使用相对更少，软硬比例约为1:10。硬垫典型产品如IC1000™，软垫典型产品如SUBA™、Politex™。
抛光垫的技术难点在哪里？
核心难点在于聚氨酯的孔洞结构规整程度。孔洞结构的规整程度决定抛光效率，是衡量抛光垫质量的核心指标之一，相关生产专利长期掌握在海外厂商手中，突破这一壁垒是国产化的关键。