半导体硅片按纯度可分为9-11个9(即99.9999999%—99.999999999%)的常规半导体级,以及区熔法生产的12个9以上的超高纯级别,分别对应不同的下游应用场景。供需与周期节奏的核心在于:需求端由新能源汽车、物联网等新兴领域持续拉动,而供给端因扩产周期长达2-3年、头部厂商扩产谨慎,导致供需错配,供不应求的形势预计要到2024年才开始缓解。

纯度分级:从9个9到区熔级12个9以上

半导体硅片的纯度要求远高于光伏硅片。光伏硅片纯度一般为6-8个9,而半导体硅片要求9-11个9,其中区熔级硅片要求12个9以上

纯度的差异决定了制造工艺的路线。目前约85%的硅片采用直拉法,这种方法更容易生长出大直径的单晶硅棒,适合生产主流的大尺寸硅片。而区熔法由于原材料不与容器接触、污染概率小,能将纯度做到更高(12个9以上),但难以生长大直径硅棒,一般只用于生产8英寸及以下的硅片

不同尺寸的硅片对应不同的制程需求:8英寸硅片主要用于传感器、功率器件等,制程工艺一般在90nm以上;12英寸硅片则用于90nm以下的逻辑芯片和存储芯片。

硅片类型纯度要求主流尺寸主要应用
光伏硅片6-8个9166/18X/210(方形)光伏发电
半导体硅片(常规)9-11个98英寸、12英寸逻辑芯片、存储芯片、功率器件
半导体硅片(区熔级)12个9以上8英寸及以下高纯度特殊应用

供需格局:扩产周期长,供不应求延续

需求端,受益于新能源汽车和物联网等新兴领域的高速成长,半导体硅片需求持续攀升。全球12英寸硅片需求保持9%以上的年增速,8英寸硅片需求也以每年**3%-5%**的速率增长。

供给端,全球半导体硅片市场高度集中,主要由信越化学、胜高等头部厂商垄断。经历了早年间盲目扩张导致价格多年下跌的教训后,头部厂商扩产十分谨慎,直到2021年下半年才陆续推出扩产计划。由于硅片扩产周期长达2-3年,即便头部大厂从建厂到量产也需要两到三年时间,新增产能预计至少要到2024年初才能陆续投产。

这意味着供不应求的局面在中短期内难以快速缓解。在此背景下,海外大厂优先保障台积电、三星等大客户,对大陆厂商供给相应减少,这也为国内硅片企业提供了加速替代的窗口期。

关键变量:良率比规模更重要

对于硅片企业而言,技术(良率)比规模更重要。芯片制程已精细到纳米级别,硅片上微小的瑕疵都会严重影响芯片性能。硅片企业的良率考验的是长期技术积累,而非产能规模。

良率要达到70%以后,规模效应才会凸显。国内12英寸硅片(28nm以上)做得最好的企业,良率在60%-65%之间,刚刚能实现盈亏平衡,与海外头部企业95%以上的良率仍有差距。因此,国内企业追赶的关键在于持续提升良率,而非单纯扩张产能。

常见问题

区熔级硅片和直拉法硅片有什么区别?

区熔级硅片采用区熔法制造,纯度可达12个9以上,远高于直拉法的9-11个9。但区熔法难以生长大直径硅棒,一般只用于8英寸及以下硅片;直拉法则能生产12英寸等大尺寸硅片,是目前的主流工艺。

为什么半导体硅片会出现供不应求?

需求端受新能源汽车、物联网等新兴领域拉动持续增长,而供给端头部厂商扩产谨慎、扩产周期长达2-3年,新增产能难以快速释放,导致供需错配。

国内硅片企业与国际大厂的差距在哪里?

差距主要在良率而非产能。国内12英寸硅片(28nm以上)领先企业的良率在60%-65%左右,仅能实现盈亏平衡,而海外头部企业良率可达95%以上。良率需达到70%后规模效应才会凸显。