碳化硅（SiC）的禁带宽度为 3.2eV，是硅（1.12eV）的近三倍，这一“宽禁带”特性使其在高压、高频、高温场景下具备天然的性能代差，功率密度与能量损耗显著优于传统硅器件。目前，国内碳化硅产业链在衬底、器件与模块环节已取得阶段性突破，但整体国产替代仍处于“局部追赶、整体差距”的阶段。
衬底环节：国产份额上升，但龙头差距仍大
碳化硅器件成本中，衬底占比约 47%，是产业链中技术壁垒最高的一环。国内厂商如天科合达已进入全球衬底市场，市占率约为 4%，而行业龙头 Wolfspeed 占据约 62% 的份额。衬底的核心瓶颈在于晶体生长速度极慢——主流 PVT 法下，行业内最领先的企业（Wolfspeed）一周也仅能生长约 4 厘米，远慢于硅材料一周数米的生长速度，这直接制约了产能与降本节奏。
器件与模块：车规级应用加速，但高端产品仍待突破
在器件端，国内企业如斯达半导、比亚迪半导体等已推出车规级 SiC 模块，并逐步进入新能源汽车主驱逆变器等核心场景。然而，在 SiC MOSFET 这类高端器件上，国产产品在导通电阻、开关损耗、长期可靠性等关键指标上，与 Wolfspeed、ROHM 等国际一线厂商仍存在差距。目前，部分国内厂商仍以“混合型 SiC”方案（硅基 IGBT 搭配 SiC 续流二极管）作为过渡，在降低损耗与控制成本之间寻求平衡。
设备与材料：配套瓶颈制约全链条自主可控
尽管衬底与器件环节已实现“从无到有”，但上游的长晶炉、切割设备、高纯粉料等关键设备与材料仍高度依赖进口。这些配套环节的国产化进程，直接决定了未来碳化硅产业链能否真正实现自主可控。
常见问题
碳化硅的 3.2eV 禁带宽度具体带来哪些性能优势？
3.2eV 的宽禁带使碳化硅的 绝缘击穿场强（2.2 MV/cm）和 热导率（4.5 W/cm·K）显著高于硅，从而在相同电压等级下实现更低的导通电阻、更快的开关速度以及更好的散热能力，大幅降低系统损耗。
国内碳化硅衬底国产化率大概是多少？
根据行业数据，全球碳化硅衬底市场仍由 Wolfspeed（62%）主导，国内厂商天科合达市占率约为 4%。虽然份额较小，但已实现从零到一的突破，且近年来国内企业产能扩张较快，国产化率正在逐步提升。
国产 SiC MOSFET 与海外产品的主要差距在哪？
国产 SiC MOSFET 在 器件性能一致性、长期可靠性以及高温稳定性 方面与 Wolfspeed、ROHM 等存在差距。具体表现包括导通电阻的批次波动较大、高温下阈值电压漂移等问题，这些差距需要通过工艺优化与长期车规验证来逐步缩小。