在碳化硅功率器件的全球分工中，中国厂商目前主要处于封装与二极管环节，晶片与MOS管等核心器件仍由海外厂商主导。国内出货量较大的厂商多采取外采晶片再自行封装的模式，封装成成品时又大多只能做二极管，工艺要求更高的MOS管则力有不逮。因此，在SiC晶片外采加自封装这一路径下，中国厂商参与的是全球格局的中下游环节，而非晶片与器件的定义者。
海外厂商掌握晶片与器件主导权
从特斯拉的供应链可以看出这一格局。特斯拉为最大化性能自研封装，模块命名为TPAK（Tesla Pack），可接入碳化硅MOSFET裸芯片，也可接入IGBT芯片。正因掌握封装设计，特斯拉一般对裸芯片进行外采，官宣的碳化硅合作伙伴是意法半导体（ST），而意法的大部分衬底来自Wolfspeed（即Cree）。这套"晶片—器件—封装"的能力分布，正是海外厂商主导地位的缩影。
在器件结构上，克里（Cree）、意法（STM）、安森美（ON）的产品主要是平面型，罗姆（Rohm）与英飞凌（IFX）则是沟槽型。沟槽型被视作参照IGBT历史的演进方向，但其氧化层较为脆弱，可靠性仍需工艺进步与车厂验证来确认。
国内厂商集中在封装与二极管
国内企业的重心目前还在IGBT领域，对难度更高的碳化硅有些心有余而力不足。碳化硅模块出货较多的比亚迪，实际是采购意法（ST）或博世（Bosch）的晶片再自行封装；斯达同样采购克里（Cree）的晶片然后封装。
封装并非简单环节——为发挥碳化硅性能，需要重新设计封装。但在封装成成品阶段，国内厂商大部分只能做成二极管，对工艺要求更高的MOS管无能为力。由此形成两个市场：
| 环节 | 竞争格局 | 国内厂商参与度 |
|---|---|---|
| 二极管（FRD） | 竞争激烈，红海 | 主要战场 |
| MOS管 | 原为海外品牌市场，增量空间大 | 参与有限 |
此外，碳化硅主流仍是6寸线，克里（Cree）的8寸线还在扩产，晶片越大单片产出芯片越多，扩产迟滞意味着供货与降本都会相对滞后。
常见问题
中国厂商在碳化硅功率器件中主要做哪一环？
主要是封装和二极管环节。国内厂商多采购海外晶片后自行封装，成品又以二极管为主，MOS管受工艺水平限制难以涉足。晶片与器件的主导权仍在海外厂商手中。
为什么说MOS管是增量市场？
因为这一市场原来完全由外国品牌占据，国内厂商参与有限。谁先做出碳化硅MOS管，谁就有机会率先进入这一领域，而二极管市场则竞争激烈。
碳化硅降本的关键在哪里？
关键在于把晶片做大、加快8寸线放量。主流仍是6寸线，晶片越大单片产出芯片越多，8寸线扩产若迟迟无法推进，供货不足与降本滞后都会持续。