碳化硅（SiC）功率器件市场目前由海外龙头主导，而中国企业在产业链中仍处于追赶阶段。全球格局上，海外龙头如克里（Cree）在8英寸SiC晶圆领域领先，而中国厂商仍以6英寸为主，这导致在产能和成本上存在差距。中国在新能源车等应用端拥有市场优势，但技术突破仍需时间。
产业链现状：海外主导，中国追赶
碳化硅产业链从衬底到模块，各环节的技术与产能差距明显。在衬底环节，海外龙头如克里（Cree）正在扩产8英寸晶圆线，而国内厂商仍以6英寸为主，这限制了单片晶圆的芯片产出，影响了降本速度。在器件环节，国内企业目前主要能生产碳化硅二极管，但工艺要求更高的MOS管仍是蓝海市场，主要由海外厂商掌控。模块封装方面，特斯拉等厂商采用自研封装（TPAK）并外采芯片，国内如比亚迪、斯达等则采购海外晶片再自行封装，但封装设计仍需创新以发挥碳化硅性能。
应用端：中国的新能源车优势
中国在新能源车等应用端具备市场优势，这为碳化硅的国产替代提供了需求基础。然而，碳化硅产品仍面临一致性与可靠性挑战，如特斯拉的召回事件可能涉及衬底一致性问题。技术演进上，碳化硅MOSFET正从平面结构向沟槽结构发展，但沟槽型产品在车规可靠性上仍需验证，英飞凌等海外厂商虽已推出沟槽型产品，但还需车厂验证。
常见问题
中国厂商在碳化硅MOS管领域的进展如何？
目前国内大部分厂商只能生产碳化硅二极管，MOS管领域仍是蓝海，谁能率先突破MOS管工艺，谁就能抢占市场。
碳化硅晶圆尺寸迭代对产业有何影响？
晶圆尺寸越大，单片产出芯片越多，成本越低。克里（Cree）的8英寸线扩产是解决产能和降本的关键，而中国厂商仍以6英寸为主，面临供货与成本压力。
碳化硅与IGBT的关系如何？
在当前价格区间下，碳化硅与IGBT在高功率市场上是互补关系，而非完全替代。碳化硅主要应用于对效率要求更高的场景，如主电机逆变器。