在 SiC 混合模块这一路线上，日本罗姆（ROHM）是资料中明确提及的布局厂商，其思路是保留硅基 IGBT 作为主体芯片，仅把续流二极管（FRD）替换为 SiC SBD，官方计算功率损耗较传统 IGBT 下降约 67%，成本上升则主要集中在二极管部分、约为原来的 3 倍。由此看，这一赛道的竞争焦点并非整片晶圆的全 SiC 替代，而是SiC 二极管的自供能力与模块封装工艺两项能力。

混合型 SiC 的结构逻辑

IGBT 要进行开关工作，需要内置或外置续流二极管。混合方案正是从这一处切入：主体器件芯片仍为硅基，只把 FRD 换成 SiC SBD。由于 MOSFET 本身自带体二极管，并不需要这样的架构，因此这条路线的适用对象是 IGBT 体系。

这样设计的好处是功率损耗大幅下降，同时避免全盘改用 SiC 带来的成本压力——成本上升部分可控，仅二极管这一环节的成本提高约 3 倍，其余部分保持不变。

竞争格局看什么

第一是 SiC 二极管的自供能力。 混合模块的性能改善来自 SiC SBD，能否稳定获得高品质 SiC 二极管，直接决定方案能否落地与放量。资料显示，在碳化硅衬底环节，Wolfspeed 占据 62% 份额，II-VI 为 14%，Rohm 为 13%，呈现明显的“一超”格局，衬底成本约占全产业链的一半。

第二是模块封装工艺。 混合结构把硅基 IGBT 与 SiC SBD 封装在同一模块内，封装环节直接影响器件的可靠性与损耗表现。

对硅基 IGBT 厂商而言，混合方案提供了一条延续产品线竞争力的路径：不必推翻既有硅基主体设计，只需在二极管环节引入 SiC，就能在成本可控的前提下改善损耗指标。

常见问题

混合型 SiC 模块和全 SiC 模块有什么区别？

混合型方案的主体芯片仍是硅基 IGBT，只把续流二极管替换为 SiC SBD；全 SiC 方案则整体采用碳化硅器件。前者成本上升相对可控，后者性能潜力更大但成本更高。

为什么说 SiC 二极管自供能力是关键？

混合模块的损耗改善主要来自 SiC SBD 这一环节，二极管能否稳定自供，决定了厂商能否持续供货并控制成本。资料显示碳化硅衬底环节集中度高，衬底成本约占全产业链一半，上游获取能力因此格外重要。

硅基 IGBT 厂商做混合方案的意义是什么？

它让厂商在不放弃既有硅基 IGBT 主体设计的前提下，通过更换二极管改善损耗表现，从而延长产品线的竞争力周期。ROHM 的 RGWxx65C 系列即为该思路下的产品。