SiC功率器件行业中，IDM（垂直整合制造）模式在沟槽栅工艺上具备从衬底到封测的完整闭环优势，价值高度集中于设计与制造环节；而部分代工模式则让价值更多向设计端倾斜。以Rohm为代表的IDM厂商推进沟槽栅SiC MOSFET，其内部协同能更好地控制沟槽氧化层可靠性这一关键工艺难点，但这也意味着更高的资本支出。
沟槽栅演进与IDM模式的价值集中
碳化硅MOSFET正从平面栅（Planner Gate）向沟槽栅（Trench Gate）演进，后者被视为终极目标。Rohm是率先量产沟槽栅SiC MOSFET的厂商之一，其第三代产品（3G SiC-MOSFET）采用Trench gate结构。沟槽栅工艺对氧化层可靠性要求极高——沟槽结构会让氧化层变得脆弱，能否达到车规要求，完全取决于工艺进步。IDM模式让Rohm能在内部完成从衬底到芯片制造的全链条控制，无需依赖外部代工厂，从而将设计与制造环节的高附加值保留在体系内。
相比之下，Cree（Wolfspeed）、意法半导体（ST）及安森美（ON）目前主要采用平面型SiC MOSFET，部分环节依赖代工或外购衬底。这种模式使价值更多向设计端集中，但在沟槽栅这类对工艺控制敏感的技术上，IDM的协同优势更为突出。
产业链价值分配：制造端壁垒高，封装设计成关键
在SiC功率器件产业链中，制造环节（尤其是衬底与外延）占据主要价值，而封装设计则是发挥器件性能的另一起点。例如，特斯拉采用自研TPAK封装，外采多家厂商的裸芯片后自行完成模块设计。国内厂商目前多聚焦于碳化硅二极管（红海市场），对于工艺要求更高的MOS管（蓝海市场）仍能力不足，这进一步凸显了IDM厂商在制造端的技术壁垒。
常见问题
沟槽栅SiC MOSFET比平面栅有哪些优势？
沟槽栅结构能显著降低导通电阻（RonA）。以Rohm官方数据为例，其1200V沟槽栅产品比平面栅产品导通电阻降低约一半（从8.2 mΩ·cm²降至4.1 mΩ·cm²），从而提升器件效率。
为什么IDM模式在SiC领域更具竞争力？
SiC器件对衬底质量、工艺一致性和可靠性要求极高，IDM模式能实现从衬底到封测的内部闭环，减少外部依赖，尤其适合沟槽栅这类对工艺控制敏感的先进结构。
国内厂商在SiC MOSFET领域处于什么阶段？
国内厂商目前主要能生产碳化硅二极管，但在MOS管领域仍以采购国外晶片后自行封装为主，谁先突破MOS管制造能力，谁就能率先抢占增量市场。