随着汽车功能安全标准（如ISO 26262）日益严格，车规级SiC功率器件的技术路线选择正受到明确政策引导：沟槽栅结构需额外验证氧化层长期可靠性，显著增加认证成本与周期，而平面栅结构在车规认证方面当前更具成熟度优势。这意味着，在安全标准趋严的背景下，车厂和器件供应商在技术路线决策时，必须将认证的可行性与时间成本作为核心考量因素。
平面栅与沟槽栅的路线分化
在SiC MOSFET的技术演进中，平面栅（Planner gate）是早期主流结构，沟槽栅（Trench gate）则是业界公认的终极目标。从官方资料来看，罗姆（Rohm）的第三代沟槽型SiC MOSFET在1200V和650V等级下，比导通电阻（RonA）分别降至4.1mΩ·cm²和3.1mΩ·cm²，仅为平面栅（2代）约一半的水平。然而，沟槽栅的缺点在于其氧化层较为脆弱，能否达到车规要求，取决于工艺进步。
当前，克里（Cree）、意法半导体（STM）及安森美（ON）的产品以平面栅为主，而罗姆与英飞凌（IFX）则推出了沟槽栅产品。虽然英飞凌声称其结构经过可靠性测试，但鉴于其在碳化硅领域属于后来者，且碳化硅封装难度远大于IGBT，车规认证仍需参考车厂的验证结果。这意味着，选择沟槽栅路线意味着更长的认证周期和更高的测试成本。
国产厂商的机遇与挑战
对于国产SiC功率器件厂商而言，政策对安全标准的趋严，实际上正在引导技术路线的选择。目前国内厂商大部分只能做碳化硅二极管，而工艺要求更高的MOS管仍是蓝海市场——该市场原本完全由外国品牌主导。谁能率先实现碳化硅MOS管的量产并通过车规认证，谁就能抢占这一增量市场。
此外，碳化硅晶圆尺寸的扩大是降本的关键。当前碳化硅主流仍为6英寸线，克里（Cree）的8英寸线仍在扩产，而IGBT已可做到12英寸线。晶圆尺寸越大，单片产出芯片越多，因此碳化硅的产能瓶颈和成本下降，高度依赖于8英寸及以上晶圆线的快速放量。
常见问题
沟槽栅SiC MOSFET的车规认证难点在哪里？
沟槽栅结构的氧化层在器件工作时承受较高电场应力，长期可靠性需要额外验证。相比平面栅，这一过程会显著增加认证成本和周期，且需要车厂实际验证。
国内厂商在SiC MOSFET领域处于什么阶段？
国内厂商目前重心仍在IGBT领域，碳化硅模块出货较多的比亚迪和斯达，均采购自意法或克里的晶片后再自行封装。大部分国内厂商只能生产碳化硅二极管，MOS管领域尚未实现大规模突破。
车规安全标准如何影响SiC器件的技术路线选择？
更严格的安全标准（如ISO 26262）要求器件具备充分的可靠性验证数据。平面栅结构因技术成熟度更高、验证路径更清晰，短期内更易通过认证；沟槽栅虽性能优势明显，但需更长的验证时间，适合有长期研发规划的企业。