SiC MOSFET的沟槽栅与平面栅结构在导通电阻和可靠性上存在显著差异，这直接影响功率器件厂商在与车企谈判中的议价权。掌握更优性能的沟槽栅技术的厂商（如Rohm）凭借能效优势可获得更高溢价，议价能力更强；而平面栅厂商因产品同质化、竞争激烈，可能面临车企压价。此外，沟槽栅的氧化层可靠性问题若未完全解决，车企可能以此作为压价或要求长期质保的筹码。
沟槽栅与平面栅的性能差异
沟槽栅（Trench gate）是SiC MOSFET的演进方向，相比平面栅（Planner gate）能显著降低导通电阻（RonA）。以Rohm为例，其第三代沟槽栅1200V产品的RonA为4.1mΩ·cm²，而第二代平面栅为8.2mΩ·cm²，650V产品也呈现类似优势（3.1mΩ·cm² vs 6.5mΩ·cm²）。不过，沟槽栅的氧化层更脆弱，可靠性需经过严格的车规验证。目前，Rohm和英飞凌主要采用沟槽栅结构，而Cree、意法半导体和安森美仍以平面栅为主，但预计未来会逐步转向沟槽栅。
议价权的关键因素
掌握沟槽栅技术的厂商（如Rohm）因产品性能领先，能向车企提供更高能效，从而在供应链谈判中争取更高定价。相比之下，平面栅厂商的产品同质化程度较高，且国内厂商多聚焦于竞争激烈的二极管市场（红海），而MOS管市场（蓝海）主要由海外厂商主导，增量空间大。车企在采购时，会综合评估性能、可靠性和成本——若沟槽栅的氧化层可靠性问题未完全解决，车企可能以此压低价格或要求更长的质保期。此外，碳化硅晶圆从6寸向8寸的扩产进度也影响成本，但当前主流仍为6寸线，降本路径尚需时间。
常见问题
沟槽栅SiC MOSFET的可靠性风险有多大？
沟槽栅结构的氧化层较脆弱，这是其公认的弱点。英飞凌声称其结构设计不同并进行了大量可靠性测试，但能否完全满足车规要求，仍需车企的长期验证。
车企如何通过供应链策略影响议价权？
车企（如特斯拉）通过自研封装（TPAK）实现多厂家芯片供应，分散采购风险。这种多供格局下，若某家厂商的产品性能或可靠性不达标，车企可转向其他供应商，从而压低采购价格。
国内SiC厂商在议价中处于什么位置？
国内厂商目前主要能生产碳化硅二极管（红海市场），而MOS管（蓝海市场）工艺难度更高，大部分厂商尚无法量产。因此，国内厂商在MOS管领域议价能力较弱，但率先突破MOS管技术的厂商有望抢占增量市场。