碳化硅Mos管市场长期由海外巨头主导，而国内厂商目前主要聚焦于二极管领域，竞争激烈已成红海；Mos管领域则因技术门槛较高，仍是一片蓝海，国产替代空间广阔。
全球SiC Mos管竞争格局
全球碳化硅Mos管市场主要由Wolfspeed（原Cree）、英飞凌、ROHM、意法半导体（ST）、安森美（ON）等海外厂商主导。其中，ROHM和英飞凌的产品采用沟槽型结构，而Wolfspeed、意法半导体、安森美则以平面型为主。英飞凌在IGBT领域是王者，但在碳化硅领域是后来者，其沟槽型产品的可靠性仍需车厂验证。
国内厂商的现状与挑战
国内功率器件厂商目前重心仍在IGBT领域，对更高难度的碳化硅Mos管尚难突破。碳化硅模块出货量较大的比亚迪，其晶片实际采购自意法半导体或博世，斯达半导体则采购自Wolfspeed，再由自身完成封装。国内厂商大部分只能将碳化硅做成二极管，对工艺要求更高的Mos管无能为力，原因在于技术水平尚未达到。因此，碳化硅二极管市场已是红海，而Mos管市场则完全是外国人的天下，是名副其实的增量蓝海。
常见问题
国内哪些厂商在碳化硅二极管领域竞争？
国内厂商如华润微、士兰微等主要在碳化硅二极管领域展开竞争，该市场竞争激烈，已呈现红海态势。
国内厂商何时能突破碳化硅Mos管技术？
目前官方资料未给出具体时间表，但技术突破的关键在于工艺水平的提升。谁能率先做出碳化硅Mos管，谁就能率先抢占市场。
碳化硅降本的关键因素是什么？
碳化硅降本的关键在于将晶片尺寸做大，从当前的6寸线扩产到8寸甚至更大。例如Wolfspeed的8寸线仍在扩产中，需要大量时间。晶片越大，单片产出的芯片越多，有助于解决供货不足和降本问题。