SiC MOSFET 从平面栅到沟槽栅的演进，经历了导通电阻（RonA）大幅降低这一关键拐点：第二代平面栅的 1200V 产品 RonA 为 8.2 mΩcm²，而第三代沟槽栅产品将这一数值降至 4.1 mΩcm²，性能几乎翻倍，成为行业分水岭。
平面栅时代：第一代与第二代
碳化硅 MOSFET 最初采用平面栅结构（DMOS），与早期 IGBT 类似。第一代产品由 Cree（现 Wolfspeed）率先量产，奠定了行业基础。第二代平面栅在 1200V 电压等级下实现了 RonA 8.2 mΩcm² 的水平，成为当时主流技术路线。目前，Cree、意法半导体（ST）和安森美（ON）等厂商的主要产品仍以平面栅为主。
沟槽栅时代：第三代及后续演进
Rohm 推出的第三代 SiC MOSFET 采用沟槽栅结构（UMOS），在 1200V 等级下将 RonA 进一步降低至 4.1 mΩcm²，相比第二代减半，性能显著提升。英飞凌（IFX）也跟进推出了沟槽栅产品，并声称其结构与竞品不同，但沟槽栅的弱点在于氧化层（图中绿色部分）较为脆弱，能否满足车规可靠性要求，仍需工艺进步和车厂验证。
常见问题
为什么平面栅会向沟槽栅演进？
沟槽栅结构能显著降低导通电阻，提升功率密度。参照 IGBT 的发展历史，沟槽型被认为是终极目标，它能更高效地利用芯片面积。
目前哪些厂商采用平面栅，哪些采用沟槽栅？
Cree、意法半导体和安森美主要采用平面栅；Rohm 和英飞凌主要采用沟槽栅。预计未来平面栅厂商也会逐步转向沟槽栅。
沟槽栅的主要挑战是什么？
沟槽栅的氧化层结构较脆弱，可靠性是核心挑战。能否通过车规级验证，取决于工艺的持续改进和车厂的长期测试。