SiC MOSFET 导通电阻差异可达 50%，这一性能提升正显著推动功率器件市场，尤其是在新能源汽车等车规应用中的快速增长。
以 Rohm 的沟槽栅（Trench gate）技术为例，其 1200V SiC MOSFET 的导通电阻（RonA）从平面栅（Planner gate）的 8.2 mΩcm² 降至 4.1 mΩcm²，降幅达 50%。更低的导通电阻直接降低了功率器件的能量损耗，从而提升电动汽车逆变器、充电桩等系统的能效与续航能力。这种性能优势使得沟槽型 SiC MOSFET 成为行业演进方向，加速了其在车规市场的渗透。
技术路线对比：沟槽栅 vs 平面栅
不同技术路线对功率器件市场增长的驱动力差异明显。下表对比了 Rohm 两代 SiC MOSFET 的关键参数：
| 参数 | 2G（平面栅） | 3G（沟槽栅） |
|---|---|---|
| 结构 | Planner gate (DMOS) | Trench gate (UMOS) |
| RonA (1200V) | 8.2 mΩcm² | 4.1 mΩcm² |
| RonA (650V) | 6.5 mΩcm² | 3.1 mΩcm² |
目前，Cree、意法半导体、安森美主要采用平面型，而 Rohm 与英飞凌已转向沟槽型。沟槽型在降低导通电阻方面优势显著，但栅氧化层可靠性仍需工艺验证，这直接影响其在车规场景的规模化应用。随着工艺成熟，沟槽型 SiC MOSFET 将更广泛地替代传统 IGBT，成为 EV 逆变器、充电桩等核心器件的首选。
市场增长驱动力
性能提升直接拉动了功率器件市场的增长。更低的导通电阻使 SiC MOSFET 在相同功率下发热更少，系统散热成本降低，整车续航提升。同时，沟槽型技术加速了从平面到沟槽的结构演进，推动车厂加速导入。结合行业趋势，SiC MOSFET 正从“红海”的二极管市场转向“蓝海”的 MOS 管市场，尤其是在国内厂商仍以二极管为主、MOS 管依赖海外品牌的背景下，性能突破为增量市场提供了强劲动力。
常见问题
沟槽栅 SiC MOSFET 相比平面栅的主要优势是什么？
主要优势是导通电阻（RonA）降低约 50%，例如 1200V 器件从 8.2 mΩcm² 降至 4.1 mΩcm²。这直接减少了能量损耗，提升系统能效与续航。
沟槽型 SiC MOSFET 在车规应用中面临哪些挑战？
挑战主要在于栅氧化层的可靠性，沟槽结构使得该部分更脆弱，需要通过严格的可靠性测试才能达到车规要求。目前英飞凌等厂商已进行相关验证，但最终仍需车厂确认。
国内厂商在 SiC MOSFET 领域的现状如何？
国内厂商目前多聚焦于 IGBT 领域，碳化硅模块出货以二极管为主，MOS 管因工艺难度较高仍以海外品牌为主。能率先实现 SiC MOSFET 量产的企业，将有望抢占这一蓝海市场。