SiC MOSFET从平面栅转向沟槽栅，将推动功率器件行业从“材料成本主导”走向“工艺与制造能力主导”的成本结构，并重塑产业链各环节的盈利分配。沟槽栅结构在降低导通电阻的同时，对工艺可靠性和设备投入提出更高要求；而衬底成本高企、晶圆尺寸升级缓慢，仍是制约降本的核心瓶颈。盈利模式上，国内厂商以碳化硅二极管为主的红海竞争激烈，而MOS管这一蓝海市场为率先突破工艺的企业打开了更大盈利空间。
从平面到沟槽：工艺升级重塑成本重心
SiC MOSFET的技术演进正沿着IGBT的历史路径，从平面栅（DMOS）走向沟槽栅（UMOS）。以罗姆（Rohm）公布的数据为例，1200V沟槽栅产品的导通电阻（RonA）从平面栅的8.2mΩ·cm²降至4.1mΩ·cm²，650V产品也从6.5mΩ·cm²降至3.1mΩ·cm²。导通电阻的显著降低，意味着芯片面积可以进一步缩小，单片晶圆可产出的芯片数随之增加。
然而，沟槽栅工艺的复杂性也直接推高了成本。沟槽结构会使氧化层变得脆弱，可靠性验证成为车规级应用的关键门槛，这要求设备折旧和工艺成本大幅提升。目前，克里（Cree）、意法（STM）、安森美（ON）的产品以平面型为主，而罗姆（Rohm）和英飞凌（IFX）已推出沟槽型产品——行业普遍判断，沟槽型是SiC MOSFET的终极目标，但能否满足车规可靠性要求，仍取决于工艺的持续进步。
衬底与晶圆尺寸：降本的核心制约
碳化硅的成本结构中，衬底占据极高比重，而晶圆尺寸的升级进度直接决定了降本速度。当前，碳化硅的主流产线仍是6寸，克里（Cree）的8寸线仍在扩产，需要大量时间。对比来看，8寸晶圆（Die尺寸5×5mm）的单片产出数为1033颗，而12寸晶圆同样尺寸的Die产出数可达2461颗——晶圆越大，单片产出芯片越多，单位成本越低。碳化硅晶圆厂若无法快速放量8寸线，供货不足与降本滞后的局面将持续存在。
盈利模式：红海与蓝海的分化
国内厂商在碳化硅领域的布局，目前大部分只能做成二极管，对于工艺要求更高的MOS管仍无能为力。这形成了明显的市场分层：碳化硅二极管领域竞争激烈，已是红海；而MOS管市场原本完全是国外厂商的领地，属于增量空间更大的蓝海。谁能率先突破碳化硅MOS管的工艺瓶颈，谁就能抢占这一市场先机。
此外，特斯拉的封装自研模式也对产业链盈利分配构成影响。特斯拉使用自有封装TPAK（Tesla Pack），不仅可接入碳化硅MOSFET裸芯片，还可连入IGBT芯片，甚至未来可装入氮化镓芯片。特斯拉对裸芯片进行外采，官方合作伙伴为意法半导体（ST），而意法的大部分衬底来自Wolfspeed（即Cree）。这种由整车厂主导封装设计的模式，改变了传统封装环节的价值分配，也促使更多海外大厂开放设计，形成多供应商供货的格局。
常见问题
沟槽栅SiC MOSFET相比平面栅有哪些优势？
沟槽栅结构能显著降低导通电阻，以罗姆公布的数据为例，1200V产品的RonA从平面栅的8.2mΩ·cm²降至4.1mΩ·cm²，650V产品从6.5mΩ·cm²降至3.1mΩ·cm²。导通电阻降低使芯片面积可缩小，单片晶圆产出芯片数增加，有利于摊薄单位成本。
为什么碳化硅降本缓慢？
核心制约在于衬底成本高企与晶圆尺寸升级缓慢。碳化硅主流产线仍是6寸，克里（Cree）的8寸线扩产需要大量时间。以芯能半导体提供的数据为例，8寸晶圆（Die尺寸5×5mm）单片产出1033颗，而12寸晶圆可达2461颗，晶圆尺寸越大越有利于降本。
国内厂商在碳化硅领域的盈利机会在哪里？
国内厂商目前主要集中在碳化硅二极管领域，竞争激烈属红海；而MOS管因工艺门槛高，市场原由国外厂商主导，属蓝海增量市场。率先突破MOS管工艺的国内厂商，有望获得更大的盈利空间。