平面栅到沟槽栅的演进中，国产功率器件SiC MOSFET的自主可控仍处在起步阶段，国内厂商目前大多只能生产碳化硅二极管，对工艺要求更高的SiC MOSFET管仍无能为力，核心芯片依赖进口，距离大规模上车验证仍有明显差距。从行业趋势看，碳化硅MOSFET正从平面栅（Planner）向沟槽栅（Trench）演进，沟槽型被视为终极目标，但可靠性仍是制约量产的关键；而国产厂商能否突破MOS管工艺，将决定其在“红海”二极管市场之外，能否抢占“蓝海”增量市场。
国产SiC MOSFET的现状与差距
国内企业的重心目前仍放在IGBT领域，对于更高难度的碳化硅确实有些“心有余而力不足”。以碳化硅模块出货量较多的比亚迪为例，其实际是采购意法半导体（ST）或博世（Bosch）的晶片后再自行封装；斯达同样采取采购克里（Cree）晶片后封装的模式。这意味着国内厂商在碳化硅产业链中，核心芯片环节仍高度依赖进口。
需要强调的是，封装环节本身并不简单——为了发挥碳化硅的性能，封装必须重新设计。但在成品制造阶段，国内厂商大部分只能做成二极管，对于工艺要求更高的MOS管则无能为力，根本原因在于技术水平尚未到位。因此，碳化硅二极管市场因国内厂商聚集而竞争激烈（红海），而MOS管市场因长期被国外品牌占据，属于名副其实的增量市场（蓝海）。
平面栅到沟槽栅的行业演进
碳化硅应用之初与IGBT一样采用平面结构，随着技术导入，设计上正逐步从平面栅（DMOS）向沟槽栅（UMOS）演进。参照IGBT的历史，沟槽型被视为终极目标。目前克里（Cree）、意法（STM）、安森美（ON）的产品以平面型为主，罗姆（Rohm）和英飞凌（IFX）则已推出沟槽型产品。
沟槽型的缺点在于可靠性——它会让栅极氧化层变得脆弱，能否达到车规要求，还需看工艺的进步。以英飞凌为例，虽然其声称结构和别的厂商不同并做了大量可靠性测试，但英飞凌在碳化硅领域属于后来者（其在IGBT领域是王者），加上碳化硅封装难度远大于IGBT，最终仍需参考车厂的验证结果。
晶圆尺寸与降本瓶颈
除工艺外，晶圆尺寸也限制了碳化硅的降本进程。当前IGBT已能做到12寸线，而碳化硅主流仍是6寸线，克里（Cree）的8寸线仍在扩产且需要大量时间。晶片越大，单片产出的芯片（Die）就越多，若碳化硅晶圆厂迟迟无法扩产至8寸，碳化硅晶圆将面临供货不足的窘境，降本进程也会相对滞后。
常见问题
国产SiC MOSFET何时能实现自主可控？
官方资料并未给出明确时间表。从现状看，国内厂商在MOS管环节的工艺积累尚不足以支撑量产，且还需经历车规级可靠性验证。行业共识是，谁能率先做出碳化硅MOS管，谁就能抢占蓝海市场，但具体节点需以厂商后续披露及第三方实测为准。
沟槽栅与平面栅相比，主要难点在哪里？
沟槽栅（Trench）相比平面栅（Planner）能显著降低导通电阻（以罗姆公开的1200V产品为例，导通电阻从平面栅的8.2mΩ·cm²降至沟槽栅的4.1mΩ·cm²），但沟槽结构会让栅极氧化层变得脆弱，可靠性风险更高，能否通过车规验证是当前主要挑战。
国产厂商在碳化硅领域的机会在哪里？
机会主要在MOS管这一蓝海增量市场。国内厂商目前在二极管领域已是红海竞争，而MOS管市场原本完全由国外品牌占据，属于增量空间。此外，碳化硅晶圆向8寸及以上尺寸的扩产，也是解决产能与降本的关键方向，对产业链上下游都是重要机遇。