在全球SiC MOSFET技术竞赛中，中国功率器件产业整体仍处于追赶阶段，尤其在技术难度最高的沟槽栅（Trench）结构量产上，与罗姆（Rohm）、英飞凌（Infineon）等海外头部厂商存在明显差距，但在封装环节已具备一定参与能力。

全球SiC MOSFET技术格局：沟槽栅与平面栅并行

从全球竞争态势看，SiC MOSFET的技术路线正经历从平面栅（Planner）向沟槽栅（Trench）的演进。目前，罗姆（Rohm）和英飞凌（Infineon）已实现沟槽栅SiC MOSFET的量产，而克里（Cree）、意法半导体（ST）、安森美（ON）的产品仍以平面栅结构为主。沟槽栅结构在导通电阻（RonA）上优势显著——以罗姆公布的数据为例，其第三代沟槽栅产品在1200V下的RonA约为第二代平面栅的一半——但沟槽结构会使栅极氧化层变得脆弱，能否满足车规级可靠性要求，仍取决于工艺成熟度。

中国厂商的产业位置：二极管红海，MOS管蓝海

中国功率器件企业在SiC MOSFET领域仍处于追赶阶段，具体体现在产业链分工上：

  • 芯片制造环节：国内厂商目前大部分只能完成二极管产品，对工艺要求更高的SiC MOSFET芯片制造能力仍显不足，核心原因在于技术水平尚未到位。
  • 封装环节：国内企业具备一定封装能力。例如，碳化硅模块出货量较大的比亚迪，实际是采购意法（ST）或博世（Bosch）的晶片后自行封装；斯达半导体同样采购克里（Cree）的晶片完成封装。但需注意，为发挥碳化硅性能，封装需要重新设计，这本身就是技术门槛。

从市场格局看，二极管领域已是竞争激烈的红海，而SiC MOSFET领域则是蓝海市场——这一市场此前主要由国外品牌占据，谁能率先实现SiC MOSFET的国产突破，谁就有机会抢占增量市场。

衬底与晶圆环节：话语权仍待提升

在产业链上游，碳化硅衬底供应高度集中，特斯拉的SiC模块主要由意法半导体供应，而意法的大部分衬底又来自克里（Cree，即Wolfspeed）。晶圆尺寸方面，碳化硅目前的主流产线仍为6英寸，克里（Cree）的8英寸产线尚在扩产中。晶圆尺寸越大，单片产出的芯片数量越多——以5mm×5mm的Die尺寸为例，8英寸晶圆可产出约1033颗，12英寸则可达2461颗——因此8英寸产线的放量速度，直接关系到碳化硅的产能与降本进程。中国厂商在衬底环节的话语权相对较弱，这也是制约产业整体位置的关键因素之一。

常见问题

中国厂商在SiC MOSFET领域的主要瓶颈是什么？

主要瓶颈集中在芯片制造环节。国内企业目前重心仍放在IGBT领域，对于工艺难度更高的碳化硅MOSFET，大部分厂商只能完成二极管产品，MOS管仍依赖进口，核心原因是技术水平尚未达到。

沟槽栅与平面栅技术路线，当前谁占优势？

罗姆（Rohm）和英飞凌（Infineon）已量产沟槽栅产品，克里（Cree）、意法（ST）、安森美（ON）仍以平面栅为主。沟槽栅在导通电阻等性能指标上更优，但可靠性验证仍需时间，行业普遍认为沟槽型是终局方向。

中国企业在SiC产业链中还有哪些机会？

封装环节是当前中国厂商的切入点。比亚迪、斯达等企业已通过采购海外晶片+自主封装的方式进入碳化硅模块市场。此外，随着碳化硅晶圆从6英寸向8英寸扩产，产业链各环节的产能与成本重构也可能带来新的参与机会。