SiC MOSFET 正沿着 IGBT 当年走过的技术路径演进：从平面栅结构向沟槽栅结构切换，是功率器件行业当前最明确的关键技术拐点。参照 IGBT 的历史，沟槽型结构是终极目标，而罗姆的 2G 平面栅（DMOS）到 3G 沟槽栅（UMOS）的迭代，以及特斯拉在 Model 3 上的率先应用与后续召回事件，共同勾勒出这一技术路线切换的完整图景。
从平面到沟槽：技术演进的必然方向
碳化硅 MOSFET 在应用之初，和 IGBT 一样采用平面结构。随着技术导入，设计上逐步从平面栅（Planner Gate）转向沟槽栅（Trench Gate）。参照 IGBT 的发展历史，沟槽型是这一技术路径的终极目标。
以罗姆的产品迭代为例，其 2G SiC-MOSFET 采用平面栅（DMOS）结构，3G 则切换为沟槽栅（UMOS）。在导通电阻（RonA）这一关键指标上，沟槽栅相比平面栅实现了显著优化——1200V 等级从 8.2mΩ·cm² 降至 4.1mΩ·cm²，650V 等级从 6.5mΩ·cm² 降至 3.1mΩ·cm²，几乎减半。
当前，克里（Cree）、意法（STM）、安森美（ON）的产品以平面型为主，罗姆（Rohm）与英飞凌（IFX）则已推出沟槽型产品。行业普遍预期，其余厂商也将逐步转向沟槽结构。
沟槽栅的代价：可靠性考验
沟槽型结构的短板在于可靠性。沟槽结构会使氧化层变得脆弱，能否达到车规级要求，取决于工艺的持续进步。英飞凌虽声称其结构与其他厂商不同并已完成多项可靠性测试，但碳化硅的封装难度远大于 IGBT，最终仍需经过车厂的验证周期。
特斯拉的案例是这一考验的缩影。2018 年，特斯拉率先在 Model 3 上使用碳化硅模块，成为应用标杆。但随后其因“后电机逆变器功率半导体元件异常”召回部分 Model 3，有观点认为这很可能与碳化硅衬底一致性问题导致的参数漂移有关。这一事件在一定程度上表明，碳化硅产品仍不够稳定，还需要更多可靠性试验。
常见问题
沟槽栅相比平面栅的核心优势是什么？
核心优势在于导通电阻（RonA）的大幅降低。以罗姆为例，从 2G 平面栅到 3G 沟槽栅，1200V 与 650V 两个电压等级的 RonA 均实现约一半的缩减，有助于降低导通损耗。
为什么沟槽栅尚未完全取代平面栅？
主要受限于可靠性。沟槽结构会使氧化层变得脆弱，车规级应用对可靠性要求极高，能否达标取决于工艺进步与车厂验证。因此，行业从平面到沟槽的演进仍需时间。
特斯拉在 SiC MOSFET 应用中扮演什么角色？
特斯拉是 SiC 应用的标杆。2018 年率先在 Model 3 上采用碳化硅模块，并自主设计 TPAK 封装、外采多家厂商芯片。其后续的召回事件也提醒行业，SiC 的可靠性验证仍是成熟过程中的关键环节。