SiC MOSFET 从平面栅切换到沟槽栅，导通电阻可降至平面结构的一半左右，但栅氧化层在沟槽底部变得脆弱，可靠性验证成为技术路线切换中最关键的门槛。沟槽栅结构虽然被普遍视为参照 IGBT 历史的终极目标，但能否满足车规级要求，最终取决于工艺成熟度与车厂的长期验证。
沟槽栅的优势与代价
碳化硅 MOSFET 在应用之初与 IGBT 一样采用平面结构，随着技术导入逐步向沟槽结构演进。以罗姆的产品路线为例，其第二代平面栅（DMOS）与第三代沟槽栅（UMOS）相比，1200V 规格的导通电阻从 8.2mΩ·cm² 降至 4.1mΩ·cm²，650V 规格则从 6.5mΩ·cm² 降至 3.1mΩ·cm²，导通损耗几乎减半。
然而，沟槽结构的代价在于栅氧化层在沟槽底部变得脆弱，可靠性风险显著高于平面栅。能否达到车规要求，仍需观察工艺进步与车厂的实际验证结果。
厂商路线分化与车规验证
当前主要厂商的路线选择已出现分化：Cree（Wolfspeed）、意法半导体、安森美的产品以平面型为主，而罗姆与英飞凌采用沟槽型。英飞凌虽声称其沟槽结构与竞品不同并完成了大量可靠性测试，但需注意，英飞凌在 IGBT 领域是王者，在碳化硅领域却是后来者，且碳化硅的封装难度远大于 IGBT，因此其沟槽方案能否大规模上车，还需参考车厂的验证周期。
衬底一致性与供应链考验
特斯拉曾因“后电机逆变器功率半导体元件异常”召回一批 Model 3，业内观点认为问题可能出在衬底一致性导致的特定参数漂移，进而引发单管一致性差异。这一事件一定程度上显示出碳化硅产品尚有不稳定因素，需要更多可靠性试验。特斯拉主要采购意法半导体的裸芯片，而意法的大部分衬底来自 Wolfspeed（Cree），并由特斯拉自行完成 TPAK 封装设计。
常见问题
沟槽栅 SiC MOSFET 一定比平面栅更好吗？
从导通电阻看，沟槽栅优势明显，罗姆 3G 沟槽产品相比 2G 平面产品在 1200V 和 650V 规格下导通电阻均下降约一半。但沟槽底部栅氧化层的脆弱性带来可靠性风险，能否成为主流取决于工艺能否满足车规验证要求。
国内厂商在碳化硅 MOSFET 领域进展如何？
国内厂商目前重心仍在 IGBT 领域，碳化硅模块出货较多的比亚迪、斯达等企业主要采购意法或 Cree 的晶片自行封装。大部分国内厂商在成品阶段只能做二极管，工艺要求更高的 MOSFET 管尚难攻克，因此 MOSFET 市场仍以国外品牌为主。
碳化硅降本的主要瓶颈是什么？
晶圆尺寸是核心瓶颈之一。IGBT 已实现 12 寸线生产，而碳化硅主流仍是 6 寸线，Cree 的 8 寸线尚在扩产。晶片越大单片产出的芯片越多，若 8 寸线无法快速放量，碳化硅晶圆将持续面临供货不足，降本进程也会滞后。