平面栅与沟槽栅的产能分化，正成为影响SiC功率器件供需节奏的关键变量。当前，以Cree、意法半导体、安森美为代表的厂商主要布局平面栅结构，而Rohm和英飞凌则主推沟槽栅结构。 由于沟槽栅在可靠性上对氧化层要求更高，车规级验证周期更长，导致两种技术路线的产能爬坡速度出现分化，进而影响下游汽车等应用领域的供给匹配与订单节奏。
技术路线分化与产能布局差异
SiC MOSFET 从平面栅向沟槽栅演进是行业趋势，但两者的产能扩张节奏并不一致。Rohm 已推出第三代沟槽栅产品，其 1200V 沟槽栅 MOSFET 导通电阻仅为平面栅的一半（4.1mΩ·cm² vs 8.2mΩ·cm²），但沟槽结构对氧化层的脆弱性使其需要更严苛的可靠性测试。Cree 等厂商的平面栅产能虽已相对成熟，但面临从 6 英寸向 8 英寸晶圆产线切换的挑战——晶圆尺寸越大，单片产出芯片越多，8 英寸线能否快速放量是降本和缓解供给压力的关键。
下游车厂切换周期与订单节奏
特斯拉作为 SiC 应用的标杆，其供应链策略直接影响订单节奏。特斯拉采用自研 TPAK 封装，从意法半导体等厂商外采裸芯片，而意法半导体的衬底主要来自 Cree。这种多供应商模式使得车厂对功率器件的验证周期较长——从平面栅到沟槽栅的切换，需经过车厂完整的可靠性测试和认证，通常需要 12-18 个月。 因此，虽然沟槽栅理论性能更优，但短期内平面栅仍将是主流供货方案，订单放量节奏受制于车厂的验证进度。
供需平衡展望
- 短期（当前阶段）：平面栅产能相对稳定，但 6 英寸晶圆供给偏紧，尤其是 Mos 管（蓝海市场）供不应求；国内厂商多集中于二极管（红海市场），Mos 管仍主要由海外厂商主导。
- 中期：随着 8 英寸产线逐步放量（以 Cree 为代表），供给瓶颈有望缓解，但沟槽栅产能的释放仍需等待车规验证完成。
- 长期：沟槽栅一旦通过车规认证，将推动 SiC 功率器件进入新一轮供需增长周期。
常见问题
平面栅和沟槽栅 SiC MOSFET 的主要区别是什么？
平面栅（如 Cree、意法半导体）技术成熟，可靠性验证充分；沟槽栅（如 Rohm、英飞凌）导通电阻更低，但氧化层更脆弱，需更长时间的车规验证。
哪些下游领域对 SiC 功率器件的需求最强劲？
汽车主驱逆变器是当前最大的应用领域，特斯拉等车企已大规模采用。此外，光伏逆变器、工业电源等对高功率密度的需求也在增长。
国内厂商在 SiC MOSFET 领域的竞争格局如何？
国内厂商目前主要聚焦于碳化硅二极管（红海市场），Mos 管（蓝海市场）仍由海外厂商主导。谁能率先突破 Mos 管工艺，谁就能抢占这一增量市场。