碳化硅功率器件的成本结构中，衬底占47%、外延占23%、设计制造封测合计占30%。这一拆分决定了各环节的竞争形态：衬底技术壁垒最高、市场集中度最高，外延参与者相对有限，器件端因IDM与Fabless两种模式并存而最为分散。海外厂商多采用一体化IDM架构，国内企业则以专注单一环节为主，各环节龙头正是围绕自身技术积累卡位。
衬底：壁垒最高，格局最集中
衬底是碳化硅产业链成本占比最大的环节，其高价根源在于晶体生长环节。主流PVT（物理气相传输法）路线下，晶体生长速度慢、良率相对较低，与硅材料存在数量级差距，技术壁垒因此集中在这一环节。
格局上，衬底呈现明显的“一超”特征：Wolfspeed（原Cree）占据主导地位，II-VI、Rohm、SK Siltron等紧随其后，国产厂商天科合达市占率仅为4%。衬底龙头凭借晶体生长工艺的长期积累卡位，新进入者追赶难度较大。
外延与器件：参与者有限，竞争相对分散
外延环节成本占比23%，处于衬底与器件之间，对工艺一致性要求较高，参与者数量相对有限。
器件端涵盖设计、制造、封测，合计占成本30%，是三个环节中竞争最分散的一段。原因在于模式并存：海外厂商多走一体化IDM路线，国内则以专注某一环节为主，Fabless与代工分工同时存在，格局尚未收敛。
| 环节 | 成本占比 | 竞争特征 |
|---|---|---|
| 衬底 | 47% | 集中度最高，一超格局 |
| 外延 | 23% | 参与者相对有限 |
| 设计、制造、封测 | 30% | IDM与Fabless并存，最分散 |
卡位逻辑：成本占比与技术壁垒同向
成本占比高的环节，往往也是技术壁垒最高的环节，衬底正是典型。龙头企业的卡位策略，本质上是把资源押注在自身具备工艺积累的环节上，而非全线铺开。对投资者而言，理解这一成本拆分，有助于判断不同环节的竞争强度与格局稳定性。
常见问题
碳化硅衬底为什么成本占比接近一半？
核心原因是晶体生长速度慢、良率相对较低，工艺难度集中在晶体成长环节，技术壁垒高，直接推高了衬底价格。
为什么器件端竞争最分散？
器件端包含设计、制造、封测，海外厂商多采用一体化IDM架构，国内则以专注单一环节为主，两种模式并存导致参与者众多、格局分散。
衬底环节的集中度如何？
衬底是三个环节中集中度最高的，Wolfspeed占据主导地位，天科合达等国产厂商市占率仍较低，追赶需要长期工艺积累。