沟槽栅SiC MOSFET的量产玩家目前确实以罗姆（Rohm）和英飞凌（Infineon）为代表，而克里（Cree）、意法（STM）、安森美（ON）的主流产品仍以平面栅结构为主。功率器件竞争格局正处于从平面栅向沟槽栅演进的关键阶段，海外巨头主导SiC MOSFET市场，国内厂商则面临从二极管红海向MOS管蓝海突围的机遇。
技术代际：平面栅与沟槽栅的分野
SiC MOSFET在应用之初与IGBT类似，均采用平面结构。随着技术导入，设计逐步从平面栅（Planner gate）向沟槽栅（Trench gate）演进。参照IGBT的历史发展路径，沟槽型被视为终极目标结构。目前，克里（Cree）、意法（STM）、安森美（ON）的产品以平面型为主，而罗姆（Rohm）、英飞凌（IFX）已推出沟槽型产品，预计其余三家也将逐步转向沟槽结构。
沟槽栅的核心优势在于更低的导通电阻，但可靠性是其主要挑战——沟槽结构会使氧化层变得脆弱，能否达到车规级要求，仍取决于工艺进步与验证周期。英飞凌声称其结构有别于其他厂商并已完成多项可靠性测试，但在碳化硅领域属后来者，且碳化硅封装难度远大于IGBT，最终仍需参考车厂的验证结果。
供应链与市场格局：海外主导，国内追赶
以特斯拉为例，其碳化硅模块采用自研TPAK封装，可接入碳化硅MOSFET裸芯片、IGBT芯片乃至未来的氮化镓芯片。特斯拉对裸芯片进行外采，官宣的碳化硅合作伙伴为意法半导体（ST），而意法的大部分衬底来自Wolfspeed（即Cree）。特斯拉已将相关设计开放给其他海外大厂，形成多供应商供货格局。
国内厂商当前重心仍在IGBT领域，碳化硅模块出货较多的比亚迪实际采购自意法（ST）或博世（Bosch）的晶片后自行封装，斯达同样采购克里（Cree）晶片进行封装。值得注意的是，封装环节本身具有较高技术门槛——为发挥碳化硅性能需重新设计封装方案。国内厂商在成品阶段大多只能生产二极管，对工艺要求更高的MOSFET管仍显能力不足。因此，碳化硅二极管市场已是红海，而MOSFET管市场因长期由国外品牌主导，属于增量蓝海，谁能率先实现碳化硅MOSFET的量产突破，谁就有望抢占市场先机。
产能与降本：晶圆尺寸是关键变量
碳化硅的降本进程还受制于晶圆尺寸。当前IGBT产线已可实现12英寸，而碳化硅主流仍为6英寸，克里（Cree）的8英寸线仍在扩产。晶圆尺寸越大，单片产出的芯片数量越多——以5×5mm的Die尺寸为例，8英寸晶圆产出约1033颗，12英寸晶圆约2461颗。因此，碳化硅晶圆厂能否快速放量8英寸产线，直接关系到供货能力与降本节奏。总体来看，碳化硅与IGBT在高功率市场并非简单替代关系，在当前价格区间下两者相对互补，而碳化硅产品的稳定性仍需更多可靠性试验验证。
常见问题
沟槽栅SiC MOSFET相比平面栅有哪些优劣？
沟槽栅结构可显著降低导通电阻，提升器件效率，但可靠性是其主要短板——沟槽会使氧化层变脆弱，能否满足车规要求取决于工艺成熟度。目前罗姆与英飞凌已量产沟槽型产品，克里、意法、安森美仍以平面型为主。
国内厂商在SiC MOSFET领域处于什么阶段？
国内厂商在碳化硅领域大部分只能完成二极管产品的封装生产，对于工艺要求更高的MOSFET管仍存在技术差距。碳化硅MOSFET市场长期由海外品牌主导，属于增量市场，国内企业若能率先突破量产瓶颈，有望在竞争格局中占据有利位置。
碳化硅降本的关键瓶颈是什么？
晶圆尺寸是核心瓶颈之一。碳化硅主流产线仍为6英寸，而克里（Cree）的8英寸线尚在扩产。晶圆尺寸越大，单片产出的芯片越多，因此8英寸产线能否快速放量，直接决定碳化硅的供货能力与降本进度。