平面栅（DMOS）与沟槽栅（UMOS）是SiC MOSFET的两大主流技术路线，沟槽栅在导通损耗上具备显著优势，但其栅氧化层可靠性是跨越车规验证的核心壁垒。目前罗姆（Rohm）与英飞凌（Infineon）已量产沟槽栅产品，而Cree（Wolfspeed）、意法半导体（ST）与安森美（ON）仍以平面栅为主，国内厂商则大多停留在二极管环节，Mos管领域尚属蓝海。
结构差异与性能对比
碳化硅MOSFET应用之初与IGBT类似，采用平面结构，随着技术演进逐步向沟槽结构过渡。参考IGBT的发展历史，沟槽型被视为终极目标。以罗姆官方公布的代际数据为例，其第二代平面栅（DMOS）与第三代沟槽栅（UMOS）在导通电阻面积（RonA）上存在明显代差：
| 结构 | 平面栅（2G） | 沟槽栅（3G） |
|---|---|---|
| 1200V RonA | 8.2 mΩ·cm² | 4.1 mΩ·cm² |
| 650V RonA | 6.5 mΩ·cm² | 3.1 mΩ·cm² |
从数据可见，沟槽栅在1200V与650V两个电压等级下，RonA均实现了约50%的降幅，意味着导通损耗大幅降低。这正是沟槽结构在性能上的核心吸引力。
可靠性壁垒与厂商路线分化
沟槽栅的劣势在于可靠性。由于沟槽结构会使栅氧化层变得脆弱，能否达到车规级要求，取决于工艺的进步程度。英飞凌声称其结构与其他厂商不同并已完成多项可靠性测试，但考虑到其在IGBT领域虽是王者，在碳化硅领域却是后来者，且碳化硅封装难度远大于IGBT，仍需参考车厂的最终验证。
当前技术路线呈现明显分化：罗姆与英飞凌选择沟槽路线，Cree、意法、安森美则仍以平面栅为主，但业界普遍预期后者也将逐步转向沟槽。对于国内厂商而言，碳化硅Mos管工艺门槛极高，大部分企业只能生产二极管产品，二极管市场已成红海，而Mos管市场因长期由国外品牌主导，属于增量蓝海。
常见问题
沟槽栅SiC MOSFET一定比平面栅更好吗？
沟槽栅在导通损耗上优势明显，但可靠性风险更高。两者是性能与稳健性的权衡，最终能否大规模应用取决于车规验证结果，并非简单的优劣关系。
国内厂商在SiC MOSFET领域处于什么阶段？
国内企业重心仍以IGBT为主，碳化硅方面大部分只能完成二极管制造与模块封装，Mos管工艺尚未突破。碳化硅模块出货量较大的比亚迪、斯达等，晶片也主要采购自意法、博世或Cree。
碳化硅降本的关键是什么？
晶圆尺寸是重要因素。目前碳化硅主流仍为6寸线，Cree的8寸线尚在扩产。以5×5mm的Die尺寸估算，8寸晶圆产出约1033颗，12寸可达2461颗，更大尺寸晶圆是解决产能与降本的核心路径。