沟槽栅结构使SiC MOSFET在车规级应用中面临氧化层脆弱、高温高压下易退化的可靠性风险，可能影响功率器件寿命。不过，以Rohm为代表的厂商通过工艺优化正在提升可靠性，但车厂全面接受仍需更多验证。
沟槽栅氧化层的核心风险
SiC MOSFET的沟槽栅结构（Trench Gate）会在栅极底部形成较薄的氧化层，该区域在高温、高压工作环境下容易发生退化。官方资料指出，沟槽型的缺点就在于可靠性，因为“会让图中绿色的这部分氧化层变得很脆弱”。这种脆弱性可能导致器件阈值电压漂移、栅极漏电流增大，甚至提前失效，从而影响逆变器等车规系统的长期稳定运行。
工艺进步与车规验证现状
尽管英飞凌声称其沟槽结构与其他厂商不同，并完成了多项可靠性测试，但官方资料强调，英飞凌在碳化硅领域是后来者，且“碳化硅的封装难度远大于IGBT”，因此仍需参考车厂的最终验证。Rohm作为沟槽型SiC MOSFET的代表厂商，其第三代产品（3G SiC-MOSFET）在1200V和650V电压等级下均实现了更低的比导通电阻，但官方资料未给出具体可靠性测试数据，仅表示“能否达到车规的要求，还得看工艺的进步”。这意味着沟槽栅氧化层的长期可靠性仍是车厂关注的焦点。
常见问题
沟槽栅与平面栅在车规可靠性上哪个更优？
平面栅结构在可靠性上通常被认为更有优势，因为其氧化层不直接暴露于沟槽拐角的高电场区域。但沟槽栅能实现更低的导通电阻，是行业演进方向。目前，Cree、意法半导体、安森美主要采用平面型，而Rohm和英飞凌主推沟槽型，两种路线在车规市场的风险收益需由车厂根据实际验证结果判断。
特斯拉召回事件是否与SiC沟槽栅氧化层问题有关？
特斯拉因“后电机逆变器功率半导体元件异常”召回部分Model 3，有观点认为可能是碳化硅衬底一致性问题导致参数漂移，但官方资料未证实具体原因，也未直接关联沟槽栅氧化层。该事件一定程度上反映出碳化硅产品“还有些不稳定，还需要更多的可靠性试验”。
国内厂商在SiC MOSFET车规应用方面进展如何？
国内厂商目前主要聚焦于IGBT领域，碳化硅产品以二极管为主，MOS管工艺水平尚未达到车规要求。官方资料指出，国内厂商“大部分只能做成二极管，对于工艺要求更高的Mos管确是无能为力”，因此SiC MOSFET市场仍是蓝海，主要由海外厂商主导。