沟槽栅（Trench Gate）结构相比平面栅（Planner Gate）在初始制造成本上更高，但可通过显著降低导通电阻（RonA）来抵消部分成本压力，从而优化SiC功率器件的整体成本结构。
沟槽栅 vs. 平面栅：制造成本差异
沟槽栅结构需要更多光刻与刻蚀步骤，工艺复杂度更高，因此初始晶圆制造成本高于平面栅。根据官方资料，从平面栅（DMOS）演进到沟槽栅（UMOS）是行业趋势，但沟槽栅的氧化层更脆弱，可靠性挑战更大，能否达到车规要求取决于工艺进步。平面栅成本曲线更平缓，适合追求成熟工艺的厂商；而沟槽栅则需高良率支撑，以摊薄前期投入。
性能提升对单位成本的影响
尽管沟槽栅制造成本更高，但其导通电阻（RonA）大幅降低可带来单位芯片面积成本的下降。以Rohm的第三代SiC MOSFET为例，1200V沟槽栅产品的RonA为4.1mΩ·cm²，仅为平面栅产品（8.2mΩ·cm²）的一半。RonA降低50%意味着相同导通能力下芯片面积可缩小，从而减少每颗芯片的制造成本，部分抵消了沟槽栅工艺的额外投入。
盈利模式与成本优化空间
对于功率器件厂商，平面栅路线适合追求成熟工艺、快速量产的企业，成本控制主要依赖规模效应；而沟槽栅路线则需在良率提升和可靠性验证上投入更多，但一旦突破，可凭借性能优势抢占蓝海市场。目前海外厂商中，Cree、意法半导体、安森美以平面栅为主，Rohm和英飞凌则主攻沟槽栅，国内厂商多聚焦二极管领域，SiC MOSFET仍属蓝海市场。
常见问题
沟槽栅SiC MOSFET的成本优势体现在哪里？
沟槽栅通过降低RonA（如从8.2mΩ·cm²降至4.1mΩ·cm²），使单位芯片面积成本下降，虽然初始制造成本更高，但可抵消部分工艺成本，整体性价比更优。
平面栅与沟槽栅哪个更适合当前量产？
平面栅成本曲线更平缓，工艺成熟，适合快速量产；沟槽栅需高良率支撑，且可靠性验证要求更高，目前更适合技术领先型厂商。
国内厂商在SiC MOSFET领域的成本竞争力如何？
国内厂商多集中做碳化硅二极管（红海市场），SiC MOSFET仍属蓝海，工艺难度更高，成本优化空间主要来自晶圆尺寸升级（如从6寸向8寸过渡）和良率提升。