当前SiC晶圆主流仍为6寸，8寸扩产缓慢。功率器件行业竞争格局呈现国际龙头主导、国内企业追赶的态势：Wolfspeed（克里）在衬底领域优势显著，而国内企业在器件环节仍以二极管为主，MOS管市场尚待突破。
国际龙头格局：Wolfspeed领跑衬底，意法半导体主导器件
在碳化硅产业链中，Wolfspeed（Cree）是衬底领域的绝对龙头，其8寸线正在扩产，但需要大量时间。意法半导体（ST）是特斯拉官宣的碳化硅合作伙伴，其大部分衬底都来自Wolfspeed。在器件结构上，克里、意法、安森美三家主要采用平面型产品，而罗姆和英飞凌则采用沟槽型产品。沟槽型是终极目标，但可靠性仍需验证——英飞凌虽声称其结构不同并做了大量测试，但作为碳化硅后来者，其封装难度远大于IGBT，还需车厂验证。
国内企业现状：二极管红海，MOS管蓝海
国内厂商当前重心仍在IGBT领域，碳化硅能力有限。斯达半导采购克里晶片进行封装，比亚迪碳化硅模块也采购自意法或博世晶片再自封装。但关键瓶颈在于：国内大部分厂商只能生产碳化硅二极管，无法量产工艺要求更高的MOS管。因此二极管市场竞争激烈（红海），而MOS管市场仍是海外厂商主导的蓝海增量市场。
产能瓶颈：6寸主导，8寸扩产缓慢
碳化硅目前主流仍为6寸线，Wolfspeed的8寸线扩产耗时较长。晶圆尺寸越大，单片产出芯片越多——以5×5mm Die尺寸为例，8寸晶圆产片数约1033颗，12寸约2461颗。8寸线若无法快速放量，碳化硅晶圆将持续面临供货不足，降本进程也会滞后。
常见问题
碳化硅与IGBT是替代关系吗？
在当前价格区间下，两者是互补关系而非替代。碳化硅和IGBT在高功率市场各有适用场景，未来电车可能采用氮化镓+碳化硅或氮化镓+IGBT的混合方案。
特斯拉碳化硅召回事件说明了什么？
特斯拉因“后电机逆变器功率半导体元件异常”召回Model 3，有观点认为可能是衬底一致性问题导致参数漂移。这反映出碳化硅产品仍存在不稳定性，需要更多可靠性试验。
国内企业何时能突破碳化硅MOS管？
国内厂商目前主要聚焦二极管，MOS管工艺难度更高。谁能率先量产碳化硅MOS管，谁就能抢占蓝海市场。这需要封装技术、衬底质量等多方面突破，时间上尚无明确预期。