国内功率器件厂商在SiC衬底环节的短板，集中体现在主流产线仍停留在6英寸，而海外先行者已布局8英寸产线。尺寸迭代滞后确实是国产替代的关键瓶颈，但突破口在于：在6英寸上做深工艺成熟度，同时以合作研发和设备国产化推进8英寸前瞻布局，并优先攻克技术壁垒更高的SiC MOSFET环节。
尺寸差距的本质：产能与降本的卡点
SiC晶圆尺寸直接决定单片芯片产出数量与单位成本。目前SiC主流仍为6英寸线，而海外以克里（Cree）为代表的厂商8英寸线尚在扩产阶段。晶片越大，单片产出的芯片（Die）越多，因此8英寸线的放量速度，直接决定了碳化硅能否快速降本并缓解供货不足的窘境。
需要说明的是，尺寸迭代只是表象，更深层的差距在于工艺积累。国内厂商在碳化硅模块环节，多数仍以采购海外晶片后自行封装为主，且大部分只能做成二极管，对工艺要求更高的MOS管尚无能为力——这意味着碳化硅二极管已是红海，而MOS管仍是蓝海，谁能率先突破谁就能抢占增量市场。
国内厂商的突围路径
在衬底尺寸短期难以追平的背景下，国内产业链的可行路径并非一步跨入8英寸，而是多线并进：
- 在6英寸上做深做透：将现有6英寸产线的良率、一致性与可靠性打磨到车规级，这是承接当下市场需求的基础。
- 前瞻布局8英寸：通过产业链上下游合作研发、推动设备国产化，逐步积累大尺寸晶圆的工艺know-how，为下一轮产能竞赛蓄力。
- 优先攻克MOS管工艺：相比衬底尺寸，MOS管工艺突破的紧迫性和市场价值更高。参照IGBT从平面到沟槽的演进历史，SiC MOSFET也在从平面结构向沟槽结构演进，但沟槽型结构的可靠性仍是车规验证的关键门槛，国内厂商需在此环节积累可靠性数据。
常见问题
为什么国内厂商不直接上8英寸产线？
8英寸产线涉及设备、工艺、材料等多环节的系统性升级，海外先行者扩产尚需大量时间，国内厂商在设备国产化未成熟前贸然切换风险较高。更现实的路径是在6英寸上做深工艺，同时以合作研发方式积累8英寸经验。
衬底尺寸之外，国产替代更关键的瓶颈是什么？
是MOS管工艺。国内厂商目前多数只能做碳化硅二极管（红海市场），对工艺要求更高的MOS管能力不足（蓝海市场）。谁的MOS管率先通过车规验证，谁就能率先抢占增量市场，这个环节的突破优先级不亚于尺寸迭代。
海外8英寸扩产缓慢对国内是机会还是压力？
从产业规律看，碳化硅降本的关键在于晶片做大、8英寸线快速放量。海外扩产缓慢意味着全行业仍面临供货不足与降本滞后的问题，这为国内厂商在6英寸上积累工艺成熟度、在MOS管环节实现局部突破留出了时间窗口。