碳化硅晶圆从6寸迈向8寸，是推动功率器件市场规模增长的核心驱动力。随着8寸晶圆扩产和良率提升，单片晶圆产出芯片数量显著增加，直接降低单颗器件成本，从而打开新能源汽车、光伏逆变器等更多应用市场，预计将带动整体市场规模持续扩张。
8寸晶圆降本的核心逻辑
晶圆尺寸越大，单片产出的芯片（Die）数量越多，分摊到每颗芯片的制造和材料成本就越低。以5mm×5mm的Die尺寸为例，8寸晶圆可产出约1033颗芯片，而12寸晶圆可产出约2461颗。虽然目前碳化硅主流仍以6寸线为主，但以克里（Cree）为代表的头部厂商正在扩产8寸线，这是未来解决产能瓶颈和实现降本的关键路径。
下游需求驱动增长
碳化硅功率器件的主要增长驱动力来自新能源汽车。特斯拉在Model 3上率先使用碳化硅模块，并采用自研TPAK封装，外采意法半导体（ST）等厂商的裸芯片。此外，光伏逆变器、充电桩等领域对高功率、高效率器件的需求也在快速提升。当前碳化硅市场呈现分化：二极管领域竞争激烈（红海），而工艺要求更高的MOS管仍以国外厂商为主，属于增量蓝海市场。
常见问题
碳化硅与IGBT是替代关系吗？
在当前价格区间下，两者更多是互补关系。碳化硅在高频、高温场景优势明显，而IGBT在成熟成本与可靠性上仍有竞争力，未来可能共存于同一系统中（如主电机用碳化硅、副电机用IGBT）。
国内厂商在碳化硅领域的进展如何？
国内厂商目前重心仍在IGBT领域，碳化硅方面主要能生产二极管，MOS管工艺尚未完全突破。比亚迪、斯达等企业通过采购国外晶片再自行封装，封装环节对发挥碳化硅性能至关重要。
碳化硅MOS管的技术趋势是什么？
行业正从平面结构（Planner）向沟槽结构（Trench）演进，沟槽型能降低导通电阻（如1200V下从8.2mΩ·cm²降至4.1mΩ·cm²），但氧化层可靠性仍需验证，车规级应用还需时间。