SiC晶圆从6寸向8寸迁移缓慢，导致功率器件单片成本居高不下、供给持续偏紧，价格传导能力因此被强化，而下游车企的议价空间反而受到压制。
碳化硅功率器件降本的核心路径之一，是把晶圆做大。目前IGBT已能做到12寸线，但碳化硅主流仍是6寸线，以克里（Cree）为代表的8寸线仍在扩产，且需要大量时间。晶圆尺寸直接决定单片产出的芯片数量：在相同5×5mm芯片尺寸下，8寸晶圆产出数为1033颗，而12寸晶圆产出数为2461颗。晶圆越大，单片Die产出越多，单位成本越低。8寸线迟迟无法放量，意味着碳化硅晶圆仍将面临供货不足的窘境，降本进程也因此滞后。
晶圆尺寸如何影响价格传导
供给不足是价格传导机制的核心变量。当8寸碳化硅晶圆扩产缓慢、市场供货偏紧时，功率器件厂商的产能扩张受限，成本下降速度慢于需求增长，器件价格因此获得支撑。这种供给端的刚性，使得上游成本压力能够较为顺畅地向下游传导。
对下游车企而言，碳化硅器件的议价能力取决于可替代供应商的数量和器件的标准化程度。当前碳化硅MOS管市场仍是增量市场，国内厂商大部分只能做二极管，工艺要求更高的MOS管领域竞争相对有限。供应商集中度越高、可选项越少，车企在采购谈判中的议价空间就越小。在供货不足的背景下，车企为保证碳化硅模块的稳定供应，往往需要接受更具刚性的价格条件。
尺寸升级后价格传导机制的变化
当8寸线实现规模化量产后，单片Die成本将显著下降，功率器件价格具备下行空间。届时价格传导机制会发生两方面变化：一是供给紧张缓解，器件价格从供给驱动转向成本驱动，降价弹性增大；二是随着更多厂商进入碳化硅MOS管领域，下游车企的供应商选择增多，议价能力相应回升。
不过，8寸扩产需要大量时间，且沟槽型结构、封装工艺等环节仍存在可靠性验证需求，尺寸升级带来的成本红利释放将是一个渐进过程。
常见问题
碳化硅晶圆从6寸迁移到8寸，最大的难点是什么？
扩产周期长是主要制约因素。以克里（Cree）为代表的8寸线仍在扩产，需要大量时间，短期内难以快速放量。晶圆尺寸升级涉及设备、工艺、良率等多环节验证，并非简单的产线替换。
晶圆尺寸对功率器件成本的影响有多大？
影响是决定性的。在相同芯片尺寸下，12寸晶圆产出2461颗Die，而8寸晶圆仅产出1033颗，单片产出翻倍以上直接摊薄单位成本。晶圆越大，单片Die成本越低，这是碳化硅降本的关键路径。
车企在碳化硅采购中的议价能力如何？
当前偏弱。碳化硅MOS管市场仍是增量市场，国内厂商大部分只能做二极管，MOS管领域供应商选择有限。在8寸晶圆供货不足的背景下，供给偏紧支撑器件价格，车企的议价空间受到压制。待8寸线放量、供应商增多后，车企议价能力才有望回升。