数据中心向100G DR1/400G DR4架构升级,正在显著拉动大功率硅光激光器芯片的需求量与价值量。以源杰科技为代表的光芯片厂商已推出满足该架构的25mW/50mW/70mW大功率硅光激光器芯片,随着算力基础设施加速部署,这一细分市场的成长空间正在打开。

架构升级带来量价齐升

数据中心网络架构从传统三层向叶脊架构过渡,内部光连接数量大幅增加,光模块需要更快的传输速率和更高的覆盖率。100G DR1/400G DR4架构对应的高速光模块,对激光器芯片的功率、可靠性、噪声等指标提出更高要求,单模块搭载的芯片价值量也随之提升。

AIGC商业化应用加速落地,算力基础设施的海量增长和升级换代成为必然趋势。全球光芯片市场规模预计将持续上升,中高端光芯片有望快速放量。光芯片作为光模块中最核心的器件,在这一进程中深度受益。

源杰科技的大功率硅光布局

源杰科技是国内光芯片IDM领先厂商,专注于激光器芯片的研发、设计、生产与销售。公司开发的大功率硅光激光器芯片可作为高速硅基集成光模块应用的25mW/50mW/70mW大功率激光器光源,最终满足数据中心100G DR1/400G DR4架构的需求。

该系列芯片利用公司多年积累的晶圆外延技术、高可靠性设计与制造技术,具备低功耗、低噪声、高可靠性的特性,产品性能处于国内领先、国际先进的水平。源杰科技已实现向海信宽带、中际旭创、博创科技等国际前十大及国内主流光模块厂商批量供货,客户基础扎实。

竞争格局与国产替代空间

全球光芯片市场由美中日三国占据主导地位,但高端光芯片国产替代率仍较低——25G以上光芯片的国产化率仅为5%,目前仍以海外厂商为主。这意味着在高速率光芯片领域,国内厂商具备较大的替代空间。

在10G光芯片领域,源杰科技已取得领先地位,2021年全球10G DFB激光器芯片市场份额达20%,超过住友电工、三菱电机等国际厂商。随着数据中心架构向更高速率演进,源杰科技在高速率光芯片领域的研发布局有望打开新的成长空间。

常见问题

100G DR1和400G DR4架构有什么区别?

100G DR1是指单通道100Gbps的传输方案,400G DR4则是4个100G通道并行实现400Gbps传输。两者都需要大功率硅光激光器芯片作为光源,源杰科技的25mW/50mW/70mW大功率硅光激光器芯片可满足这两种架构的需求。

大功率硅光激光器芯片的市场空间有多大?

全球光芯片市场规模预计持续上升,从2018年的12.5亿美元有望增长至56亿美元量级。高速率光模块升级带动单模块芯片价值量提升,同时国产替代率仍低(25G以上仅5%),国内厂商面临量价齐升的机遇。

源杰科技在硅光激光器芯片领域有哪些优势?

源杰科技采用IDM全流程业务体系,拥有从外延生长到可靠性测试的全流程自主可控生产线。其大功率硅光激光器芯片产品性能处于国内领先、国际先进水平,并已批量供货给国内外主流光模块厂商,具备技术、产品和客户三重优势。