在3D NAND扩产潮中，半导体薄膜沉积市场的受益龙头主要包括国际巨头应用材料、泛林半导体、东京电子，以及国产设备商拓荆科技和北方华创。3D NAND产线中薄膜沉积设备的资本开支占比从2D时代的18%提升至26%，直接推动了对CVD、PVD及ALD设备的强劲需求。
国际龙头格局
薄膜沉积各细分赛道由国际巨头主导。在CVD领域，应用材料市占率28%，泛林半导体25%，东京电子11%。在ALD领域，东京电子以45%的份额领先，应用材料和泛林半导体分别占29%和26%。在PVD领域，应用材料以85%的份额占据绝对优势。这些厂商凭借全面的产品线和技术积累，在3D NAND扩产中受益显著。
国产设备商的追赶
国内薄膜沉积设备的国产化进程正在加速，主要代表为拓荆科技和北方华创。
- 拓荆科技：在PECVD领域是唯一实现产业化的国产厂商，产品覆盖180-14nm逻辑芯片及64/128层3D NAND。其ALD设备已可应用于14nm及以下逻辑芯片，在3D NAND的高层数堆叠中具备竞争力。
- 北方华创：优势集中在溅射PVD领域，覆盖90-14nm制程。其ALD设备覆盖至28nm节点，在CVD领域布局了LPCVD和APCVD。
从长江存储的采购数据看，北方华创在溅射PVD中的中标占比可达20%左右，拓荆科技在CVD类设备中的占比约2-3%，两家公司均在3D NAND扩产中持续提升份额。
常见问题
3D NAND扩产为何利好薄膜沉积设备？
3D NAND通过增加堆叠层数提升存储密度，每增加一层就需要多次薄膜沉积和刻蚀工序。数据显示，3D NAND产线中薄膜沉积设备的资本开支占比达26%，远高于2D时代的18%，因此扩产直接拉动设备需求。
哪家国产厂商在ALD领域布局更领先？
拓荆科技的PEALD设备已可应用于14nm及以下逻辑芯片，而北方华创的ALD产品覆盖至28nm节点。在3D NAND的高层数堆叠中，拓荆科技的产品布局更具前沿性。
国产薄膜沉积设备的整体国产化率如何？
目前国产化率整体约在10%左右。以长江存储为例，2020年北方华创和拓荆科技的中标机台数量占比分别为4%和3%；在华虹无锡等产线中，国产化率可略高，但总体仍在爬升阶段。