薄膜沉积设备中，PECVD 以33% 的份额占据最大细分市场，溅射 PVD 以 19% 紧随其后，但这两大领域的国产化率仍处于较低水平。国产替代的突破口并非单一赛道，而是呈现**“多点突破”**格局：以拓荆科技为代表的厂商在 PECVD 领域实现了产业化突破，以北方华创为代表的厂商则在溅射 PVD 领域建立了优势，同时两家均在 ALD 这一“兵家必争之地”积极布局，形成了差异化的国产替代路径。
市场格局：大市场与低国产化率并存
薄膜沉积设备市场构成较为分散，占比最高的 PECVD 份额为 33%，溅射 PVD 为 19%，ALD 为 11%，其余品类份额均不超过 12%。这种分散性意味着，要在市场中立足，考验的是厂商对薄膜材料覆盖的广度和深度。
从竞争格局看，各细分赛道目前仍由应用材料、东京电子等国际巨头主导。以主流存储厂商的中标数据为参考，国产设备在薄膜沉积领域的整体占有率仍在 10% 左右徘徊——例如在长江存储的采购中，北方华创在溅射 PVD 细分设备中占比可达 20% 左右，而 CVD 类设备的国产供应商沈阳拓荆总占比约为 2%～3%。国产化率虽低，但已进入“快车道”。
突破口一：PECVD 的产业化先行
PECVD 是薄膜沉积中规模最大的细分市场，也是国产替代的重要突破口。拓荆科技是目前国内唯一一家实现 PECVD 设备产业化的厂商，其产品工艺已覆盖 180～14nm 制程的逻辑芯片，以及 64 层和 128 层 3D NAND 存储芯片，并能兼容氧化硅、氮化硅等多种薄膜材料。从销量结构看，PECVD 是该公司的主力产品，产业化进程走在国产厂商前列。
突破口二：溅射 PVD 的局部领先
溅射 PVD 是北方华创的優勢方向。该公司的 PVD 产品覆盖 90～14nm 的多个制程工艺，可应用于集成电路、功率半导体等多个领域。在主流存储厂商的招标中，北方华创在溅射 PVD 细分设备中的占比已达到 20% 左右，且其 PVD 产品对下游的议价能力较强，这在国产设备中较为罕见。
突破口三：ALD 的前瞻卡位
ALD 虽然当前占比仅 11%，但因能很好地满足先进制程和 3D 结构需求，被视为“兵家必争之地”。在先进制程的 FinFET 结构中，ALD 沉积材料的宽度直接决定 Fin 的宽度，是制约逻辑芯片先进程度的核心因素之一。目前，拓荆科技的 PEALD 设备可广泛应用于 14nm 及以下的逻辑芯片，在国内处于领先地位；北方华创的 ALD 产品技术节点覆盖至 28nm。两家厂商在 ALD 的布局，为后续先进制程的国产替代储备了技术能力。
常见问题
PECVD 和溅射 PVD 哪个国产替代空间更大？
两者空间都很大。PECVD 市场份额为 33%，是最大的细分赛道，国产厂商拓荆科技已实现产业化；溅射 PVD 占 19%，北方华创在局部招标中占比可达 20% 左右。从市场容量看 PECVD 更大，从已有突破程度看溅射 PVD 的国产份额相对更高。
国产薄膜沉积设备与国际巨头的差距体现在哪里？
主要差距体现在市场格局上，各细分赛道目前仍由应用材料、东京电子等国际巨头主导。国产厂商在 PECVD、溅射 PVD 等部分品类已实现产业化突破，但在整体市场份额上与巨头仍有明显差距，且各厂商覆盖的技术节点和薄膜材料范围仍在持续拓展中。
为什么 ALD 被称为“兵家必争之地”？
ALD 能实现原子层级别的厚度控制，是满足先进制程和 3D 结构需求的关键技术。在 FinFET 等先进制程中，ALD 沉积材料的精度直接决定芯片制程水平。虽然目前 ALD 市场份额仅 11%，但需求增长最快，是国产厂商前瞻布局的重点方向。